[發明專利]一種一維到三維邊界熱阻的測試結構和方法有效
| 申請號： | 201210106835.6 | 申請日： | 2012-04-12 |
| 公開（公告）號： | CN102621182A | 公開（公告）日： | 2012-08-01 |
| 發明（設計）人： | 黃如;林增明;王潤聲;鄒積彬;李佳;許曉燕 | 申請（專利權）人： | 北京大學 |
| 主分類號： | G01N25/20 | 分類號： | G01N25/20 |
| 代理公司： | 北京萬象新悅知識產權代理事務所(普通合伙) 11360 | 代理人： | 賈曉玲 |
| 地址： | 100871*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 一維到 三維 邊界 測試 結構 方法 | ||
1.一種一維到三維邊界熱阻的測試結構，其特征在于，包括一襯底，在襯底上設有長方體A和長方體B，長方體A和長方體B之間由懸空的納米線相連，長方體A的上表面濺射一層金屬層，長方體A和襯底之間有一層絕熱層，長方體B和襯底直接相連。
2.如權利要求1所述的測試結構，其特征在于，所述襯底為硅襯底，長方體A、長方體B和納米線為多晶硅材料，長方體A和襯底之間的絕熱層采用氧化硅材料，長方形A上表面的金屬層采用Pt。
3.如權利要求1所述的測試結構，其特征在于，納米線的直徑d＝5nm-500nm。
4.如權利要求1所述的測試結構，其特征在于，長方形A和長方體B的上表面在同一個水平面上。
5.一種一維到三維邊界熱阻的測試方法，包括如下步驟：
1)制作兩組如權利要求1所述的測試結構1和測試結構2，其中，測試結構1的納米線的長度L＝a，測試結構2的納米線的長度L＝2a，兩組測試結構中的長方體A上的金屬層作為熱源，而長方體B則為恒溫庫，其溫度為環境溫度T0；
2)分別給兩組測試結構中的金屬層通入恒定功率P的直流電，系統穩定時，測得測試結構1的長方體A的金屬層溫度T1和測試結構2的長方體A的金屬層溫度T2；
3)利用公式T-T0＝P·RTH，其中RTH為測試結構納米線的整體熱阻與兩個一維到三維邊界熱阻之和，P為流過納米線的熱流，分別計算測試結構1中納米線的整體熱阻與兩個一維到三維邊界熱阻之和R1，測試結構2中納米線的整體熱阻與兩個一維到三維邊界熱阻之和R2；
4)通過計算測得一維到三維邊界熱阻R1-3，。
6.如權利要求5所述的測試方法，其特征在于，步驟1)中，所述納米線的長度a的取值范圍為1um-10um。
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