[發明專利]雙打反線弧式LED封裝結構及其封裝工藝

無效

• 申請號: 201210106762.0
• 申請日: 2012-04-12
• 公開（公告）號: CN102623618A
• 公開（公告）日: 2012-08-01
• 發明（設計）人: 李漫鐵;王紹芳;孟牧;馮珍
• 申請（專利權）人: 深圳雷曼光電科技股份有限公司
• 主分類號: H01L33/48
• 分類號: H01L33/48;H01L33/62
• 代理公司: 深圳市博銳專利事務所 44275
• 代理人: 張明

1.一種雙打反線弧式LED封裝結構，它包括晶片及基材，所述晶片上設有晶片電極，其特征在于：它還包括第一導線、第二導線、第一金屬球、第二金屬球、第三金屬球及線頸；所述第三金屬球覆蓋于晶片電極表面，所述第一金屬球、第一金屬球間隔設置于基材上；所述第一導線兩端分別與第一金屬球、第二金屬球相焊接，于第一導線焊接第一金屬球處形成有線頸；所述第二導線兩端分別與第二金屬球、第三金屬球相焊接，于第二導線焊接第三金屬球處形成有線頸；所述第一導線、第二導線于焊接第二金屬球處形成有線頸。

2.如權利要求1所述的雙打反線弧式LED封裝結構，其特征在于：所述第三金屬球覆蓋晶片電極表面80％-100％的區域。

3.如權利要求1或2所述的雙打反線弧式LED封裝結構，其特征在于：所述第三金屬球的高度不小于第三金屬球的直徑的50％。

4.一種LED封裝工藝，其特征在于：它包括步驟，

A)、在LED發光二極管芯片的晶片的電極上焊接第三金屬球，所述第三金屬球覆蓋不超出晶片電極的區域；

B)、在基材的焊接區域上分別間隔焊接第一金屬球、第二金屬球，將第一導線的一端與第一金屬球焊接在一起，而后第一導線彎折成線弧，其另一端與第二金屬球焊接；

C)、將第二導線的一端焊接在第二金屬球上，而后第二導線彎折成線弧，其另一端與第三金屬球焊接。

5.如權利要求4所述的LED封裝工藝，其特征在于：所述步驟C后還包括步驟，

D)、在第一導線焊接第三金屬球處、第二導線焊接第一金屬球處級第一導線和第二導線焊接第二金屬球處均形成用于承接轉換和保護的線頸。

6.如權利要求4或5所述的LED封裝工藝，其特征在于：所述步驟A中的第三金屬球由金屬導線通過高溫燒熔，從而在末端形成金屬球，再通過功率、壓力、溫度加劇金屬分子的擴散運動，讓金屬球與晶片電極區域充分連接形成。

7.如權利要求6所述的LED封裝工藝，其特征在于：所述步驟A中，焊接的第三金屬球的直徑為晶片的電極的區域的80％-100％。

8.如權利要求6所述的LED封裝工藝，其特征在于：所述步驟A中焊接的第三金屬球的厚度不小于其直徑的50％。