[發明專利]用于形成具有納米晶體的半導體器件的方法

有效

• 申請號: 201210106456.7
• 申請日: 2012-04-12
• 公開（公告）號: CN102738005A
• 公開（公告）日: 2012-10-17
• 發明（設計）人: 姜盛澤;J·A·耶特
• 申請（專利權）人: 飛思卡爾半導體公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L21/28;H01L29/792
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 11038
• 代理人: 申發振

1.一種用于形成半導體器件的方法，所述方法包括：

提供基板；

在所述基板的表面之上形成第一絕緣層；

在所述第一絕緣層上形成第一多個納米晶體；

在所述第一多個納米晶體之上形成第二絕緣層；

將第一材料注入所述第二絕緣層之內；以及

使所述第一材料退火以在所述第二絕緣層內形成第二多個納米晶體。

2.根據權利要求1所述的方法，其中形成所述第一多個納米晶體包括：

在所述第一絕緣層上沉積第二材料；以及

使所述第二材料退火以形成所述第一多個納米晶體。

3.根據權利要求2所述的方法，其中所述第二材料可以包括半導體材料或金屬。

4.根據權利要求2所述的方法，其中所述第二材料是非晶硅。

5.根據權利要求1所述的方法，還包括：

在所述第二絕緣層之上形成多晶硅層；以及

圖形化所述多晶硅層以形成非易失性存儲單元的柵極疊層。

6.根據權利要求1所述的方法，其中使所述第一材料退火還包括使所述第一材料在大約600～950攝氏度下退火。

7.根據權利要求1所述的方法，其中所述第一多個納米晶體及第二多個納米晶體一起提供大于大約1E12個納米晶體/平方厘米的納米晶體密度。

8.根據權利要求1所述的方法，其中所述第一多個納米晶體具有大約50～150埃的平均直徑，所述第二多個納米晶體具有大約30～70埃的平均直徑。

9.根據權利要求1所述的方法，其中所述第一多個納米晶體及第二多個納米晶體為非易失性存儲單元提供電荷存儲。

10.一種用于形成半導體器件的方法，所述方法包括：

提供基板；

在所述基板的表面之上形成第一絕緣層；

在所述第一絕緣層上沉積第一材料；

使所述第一材料退火以形成第一多個納米晶體；

在所述第一多個納米晶體之上形成第二絕緣層；

將第二材料注入所述第二絕緣層之內；以及

使所述第二材料退火以在所述第二絕緣層內形成第二多個納米晶體。

11.根據權利要求10所述的方法，其中沉積第一材料以及使所述第一材料退火的步驟還包括按照預定的重復次數來沉積所述第一材料并使其退火。

12.根據權利要求10所述的方法，還包括：

在所述第二絕緣層之上形成多晶硅層；以及

圖形化所述多晶硅層以形成非易失性存儲單元的柵極疊層。

13.根據權利要求10所述的方法，其中使所述第一材料退火還包括使所述第一材料在大約600～950攝氏度下退火，以及其中使所述第二材料退火還包括使所述第二材料在大約600～950攝氏度下退火。

14.根據權利要求10所述的方法，其中所述第一多個納米晶體及第二多個納米晶體一起提供大于大約1E12個納米晶體/平方厘米的納米晶體密度。

15.根據權利要求10所述的方法，其中所述第一多個納米晶體具有大約50～150埃的平均直徑，所述第二多個納米晶體具有大約30～70埃的平均直徑。

16.根據權利要求10所述的方法，其中所述第一多個納米晶體及第二多個納米晶體為非易失性存儲單元提供電荷存儲。

17.一種用于形成半導體器件的方法，所述方法包括：

提供半導體基板；

在所述基板的表面之上形成第一絕緣層；

在所述第一絕緣層上沉積非晶硅；

使所述非晶硅退火以形成第一多個納米晶體；

在所述第一多個納米晶體之上形成第二絕緣層；

將半導體材料注入所述第二絕緣層之內；

使所述半導體材料退火以在所述第二絕緣層內形成第二多個納米晶體；

在所述第二絕緣層之上形成多晶硅層；以及

圖形化所述多晶硅層以形成非易失性存儲單元的柵極疊層。

18.根據權利要求17所述的方法，其中所述第一多個納米晶體具有大約50～150埃的平均直徑，所述第二多個納米晶體具有大約30～70埃的平均直徑。