[發明專利]發光元件驅動電路、像素電路、顯示面板及顯示器

無效

• 申請號: 201210106334.8
• 申請日: 2012-04-12
• 公開（公告）號: CN103035195A
• 公開（公告）日: 2013-04-10
• 發明（設計）人: 王文俊;韓西容;廖文堆;黃志鴻;王宗裕
• 申請（專利權）人: 勝華科技股份有限公司
• 主分類號: G09G3/32
• 分類號: G09G3/32;H05B37/02
• 代理公司: 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205
• 代理人: 臧建明

技術領域

本發明是有關于一種平面顯示技術，且特別是有關于一種發光元件驅動電路、像素電路、顯示面板及顯示器。

背景技術

由于多媒體社會的急速進步，半導體元件及顯示裝置的技術也隨之具有飛躍性的進步。就顯示器而言，由于主動式矩陣有機發光二極管(Active?Matrix?Organic?Light?Emitting?Diode，AMOLED)顯示器具有無視角限制、低制造成本、高應答速度(約為液晶的百倍以上)、省電、自發光、可使用于可攜式機器的直流驅動、工作溫度范圍大以及重量輕且可隨硬件設備小型化及薄型化等等優點以符合多媒體時代顯示器的特性要求。因此，主動式矩陣有機發光二極管顯示器具有極大的發展潛力，可望成為下一代的新型平面顯示器，從而取代液晶顯示器(Liquid?Crystal?Display，LCD)。

目前主動式矩陣有機發光二極管顯示面板主要有兩種制作方式，其一是利用低溫多晶硅(LTPS)的薄膜晶體管(TFT)工藝技術來制作，而另一則是利用非晶硅(α-Si)的薄膜晶體管(TFT)工藝技術來制作。其中，由于低溫多晶硅的薄膜晶體管工藝技術需要比較多道的光罩工藝而導致成本上升。因此，目前低溫多晶硅的薄膜晶體管工藝技術主要應用在中小尺寸的面板上，而非晶硅的薄膜晶體管工藝技術則主要應用在大尺寸的面板上。

一般來說，采用低溫多晶硅的薄膜晶體管工藝技術所制作出來的主動式矩陣有機發光二極管顯示面板，其像素電路中的薄膜晶體管的型態可以為P型或N型，但由于P型薄膜晶體管傳導正電壓有較好的驅動能力，故而現今多以選擇P型薄膜晶體管來實施。然而，選擇P型薄膜晶體管來實現有機發光二極管像素電路的條件下，流經有機發光二極管的電流不僅會隨著電源電壓(Vdd)受到電流電阻電壓降(IR?Drop)的影響而改變，而且還會隨著用以驅動有機發光二極管的薄膜晶體管的臨限電壓漂移(Vth?shift)而有所不同。如此一來，將會連帶影響到有機發光二極管顯示器的亮度均勻性。

發明內容

有鑒于此，本發明的一示范性實施例提供一種發光元件驅動電路，其包括：電源單元、驅動單元，以及數據儲存單元。電源單元用以接收一電源電壓，并在一發光階段，反應于一發光致能信號而傳導所述電源電壓。驅動單元耦接在電源單元與發光元件的第一端之間，且包含與發光元件的第一端耦接的驅動晶體管。驅動單元用以在所述發光階段，控制流經有機發光二極管的驅動電流。

數據儲存單元包含儲存電容，用以在一數據寫入階段，通過儲存電容以對一數據電壓(Vdata)與關聯于驅動晶體管的臨界電壓(Vth)進行儲存。在所述發光階段，驅動單元反應于儲存電容的跨壓而產生流經發光元件的驅動電流，且流經發光元件的驅動電流不受所述電源電壓與驅動晶體管的臨界電壓的影響。

在本發明的一示范性實施例中，發光元件的第二端耦接至一參考電壓，且在所述電源電壓為一可變電源電壓的條件下，電源單元可以包括：電源傳導晶體管，其源極用以接收所述可變電源電壓，而其柵極則用以接收所述發光致能信號。

在本發明的一示范性實施例中，在所述電源電壓為所述可變電源電壓的條件下，驅動晶體管的第一漏/源極耦接電源傳導晶體管的漏極，驅動晶體管的第二漏/源極耦接發光元件的第一端，而驅動晶體管的柵極則耦接儲存電容的第一端。另外，儲存電容的第二端耦接至所述可變電源電壓。

在本發明的一示范性實施例中，在所述電源電壓為所述可變電源電壓的條件下，數據儲存單元可以還包括：寫入晶體管與采集晶體管。寫入晶體管的柵極用以接收一寫入掃描信號，寫入晶體管的漏極用以接收所述數據電壓，而寫入晶體管的源極則可以耦接驅動晶體管的第二漏/源極與發光元件的第一端(或者，寫入晶體管的源極可以耦接驅動晶體管的第一漏/源極與電源傳導晶體管的漏極)。采集晶體管的柵極用以接收所述寫入掃描信號，采集晶體管的源極耦接驅動晶體管的柵極與儲存電容的第一端，而采集晶體管的漏極可以耦接驅動晶體管的第一漏/源極與電源傳導晶體管的漏極(或者，采集晶體管的漏極可以耦接驅動晶體管的第二漏/源極與發光元件的第一端)。其中，發光元件可以為有機發光二極管，且發光元件的第一端為有機發光二極管的陽極，而發光元件的第二端為有機發光二極管的陰極。在此條件下，所述參考電壓的準位實質上不小于所述數據電壓的最高準位減去有機發光二極管的導通電壓(或者，所述參考電壓的準位實質上不小于所述數據電壓的最高準位減去驅動晶體管的臨界電壓與有機發光二極管的導通電壓)。