[發明專利]一種采用Lift-Off原理制作光柵的方法

無效

• 申請號: 201210105946.5
• 申請日: 2012-04-12
• 公開（公告）號: CN103376484A
• 公開（公告）日: 2013-10-30
• 發明（設計）人: 林磊;黃富泉;周孝蓮;代會娜;李廣偉;張新漢
• 申請（專利權）人: 福州高意光學有限公司
• 主分類號: G02B5/18
• 分類號: G02B5/18;G02B5/32;G03H1/18
• 代理公司: 福建煉海律師事務所 35215
• 代理人: 許育輝

1.一種采用Lift-Off原理制作光柵的方法，包括如下步驟：a）在一光柵基片上制作光刻膠全息光柵；b）采用鍍膜沉積技術在光刻膠全息光柵的光柵面上鍍介質膜層；c）洗除光刻膠層，留下沉積在光柵基片上的介質膜層，構成介質膜光柵；其特征在于：在鍍膜沉積過程中，介質膜料垂直沉積于光刻膠全息光柵的光柵面上，且介質膜層厚度低于光刻膠全息光柵的光刻膠槽深。

2.如權利要求1所述一種采用Lift-Off原理制作光柵的方法，其特征在于：所述鍍膜沉積技術為熱蒸發鍍膜結合離子束輔助沉積技術。

3.如權利要求1所述一種采用Lift-Off原理制作光柵的方法，其特征在于：所述介質膜層為單層或多層膜結構，膜料為金屬膜或氧化物膜。

4.如權利要求3所述一種采用Lift-Off原理制作光柵的方法，其特征在于：所述金屬膜為Cr、Ni、Ti、Al、Au或Cu；所述氧化物膜為SiO₂、Ta₂O₅或Al₂O₃。

5.如權利要求1所述一種采用Lift-Off原理制作光柵的方法，其特征在于：所述光刻膠全息光柵的光刻膠槽深大于100納米，占空比為0.1~0.8。

6.如權利要求1所述一種采用Lift-Off原理制作光柵的方法，其特征在于：制作過程中，所述膜料及光柵基片溫度均低于光刻膠的形變溫度。

7.如權利要求1所述一種采用Lift-Off原理制作光柵的方法，其特征在于：步驟c）中，采用有機溶劑或等離子體對光刻膠層進行清洗去除；所述去除方式為浸泡法、噴涂法或超聲波法。

8.如權利要求7所述一種采用Lift-Off原理制作光柵的方法，其特征在于：所述有機溶劑為四甲基氫氧化銨、氫氧化鈉、氫氧化鉀或丙酮；所述等離子體為氧等離子體。

9.如權利要求1所述一種采用Lift-Off原理制作光柵的方法，其特征在于：所述光柵基片采用低膨脹系數的光學拋光平片。

10.如權利要求1所述一種采用Lift-Off原理制作光柵的方法，其特征在于：所制得的介質膜光柵為透射光柵或反射光柵。