[發(fā)明專利]碲化鎘薄膜太陽(yáng)能電池的高阻層的制作方法

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201210105545.X
• 申請(qǐng)日: 2012-04-12
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN102623570A
• 公開(kāi)（公告）日: 2012-08-01
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 傅干華;彭壽;潘錦功;謝義成
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 成都中光電阿波羅太陽(yáng)能有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L31/18
• 分類(lèi)號(hào): H01L31/18;C23C14/08;C23C14/35
• 代理公司: 泰和泰律師事務(wù)所 51219
• 代理人: 魏常巍;伍姝茜

1.?一種碲化鎘薄膜太陽(yáng)能電池的高阻層的制作方法，是在FTO透明導(dǎo)電玻璃上沉積高阻層，所述高阻層的材料為本征氧化錫，其特征在于：包括如下步驟：（1）在交流磁控濺射儀中加熱FTO透明導(dǎo)電玻璃至450–520^oC；（2）在磁控濺射腔體中，于氬氣保護(hù)和0.1-0.4mbar壓強(qiáng)條件下在FTO透明導(dǎo)電玻璃上磁控濺射沉積本征氧化錫。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的碲化鎘薄膜太陽(yáng)能電池的高阻層的制作方法，其特征在于：所述本征氧化錫的O與Sn的原子百分比為2.05~2.15。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的碲化鎘薄膜太陽(yáng)能電池的高阻層的制作方法，其特征在于：本征氧化錫的沉積厚度為30-150納米。