[發明專利]發光面板、顯示裝置和電子設備有效
| 申請號: | 201210105250.2 | 申請日: | 2012-04-11 |
| 公開(公告)號: | CN102738202B | 公開(公告)日: | 2017-03-29 |
| 發明(設計)人: | 尾本啟介;寺口晉一 | 申請(專利權)人: | 株式會社日本有機雷特顯示器 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律師事務所11105 | 代理人: | 彭久云 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 發光 面板 顯示裝置 電子設備 | ||
技術領域
本發明涉及一種具有有機EL(電致發光)元件的發光面板、具有這樣的發光面板的顯示裝置以及具有這樣的顯示裝置的電子設備。
背景技術
近年來開發了用作像素的發光元件的電流驅動的光學元件,諸如有機EL元件,并且努力使它們在適于顯示圖像的顯示裝置領域中是商業可用的(例如,參考日本專利特開2008-083272號公報)。這些電流驅動的光學元件的發光亮度根據從其穿過的電流而變化。有機EL元件,與液晶元件不同,是自發光的。這消除了采用有機EL元件(有機EL顯示裝置)的顯示裝置具有光源(背光)的需求,從而相比于需要光源的液晶顯示裝置提供更高的圖像可見度、更低的功耗以及更快的元件響應。
正如液晶顯示裝置一樣,有機EL顯示裝置分成兩種類型,根據其驅動方式分成無源矩陣顯示裝置和有源矩陣顯示裝置。前者的結構比較簡單。然而,該類型的有機EL顯示裝置難以做成大尺寸和高清晰度的顯示裝置。因此,現今,越來越努力開發有源矩陣模式。該類型的顯示裝置設計為采用有源元件(一般為TFT(薄膜晶體管))控制流經發光元件的電流,該有源元件設置在為每個發光元件提供的驅動電路中,該發光元件設置在每個像素中。
發明內容
此外,用于提取EL光的結構可分成兩種類型,底發射結構和頂發射結構。對于前者,或對于底發射結構,彩色濾光片形成在TFT電路上。然而,彩色濾光片當其從有機EL元件接收EL光時變得帶電,從而由于彩色濾光片上收集的電荷而改變TFT的特性。
例如,圖16清楚地示出,以EL光照射具有設置在其上或其上方的彩色濾光片的n溝道晶體管的TFT特性不同于附近沒有彩色濾光片的n溝道晶體管的TFT特性。更具體地,TFT閾值電壓在負方向上移動,在截止條件下具有較大的漏電流。如果特性經過這樣的改變的TFT用作寫入晶體管,則像素電路中的保持電容器保持的電荷在發光周期期間泄漏,從而導致較低的亮度。
本發明考慮到前述情況,并且希望提供一種能夠減小由于彩色濾光片帶電而導致的像素電路特性的改變的發光面板、具有這樣的發光面板的顯示裝置以及具有這樣的顯示裝置的電子設備。
根據本發明實施例的發光面板包括在每個像素中的有機EL元件、像素電路、彩色濾光片和導電層。這里,有機EL元件朝著透明基板發射EL光。像素電路驅動有機EL元件并且形成在透明基板上。彩色濾光片不僅形成在透明基板與有機EL元件之間,還形成在像素電路正上方。導電層由導電性比彩色濾光片的導電性高的材料制成,并且形成在像素電路和彩色濾光片之間。
根據本發明實施例的顯示裝置包括作為顯示面板的上面的發光面板,并且進一步包括適于驅動顯示面板的驅動電路。根據本發明實施例的電子設備包括上面的顯示裝置。
在根據本發明實施例的發光面板、顯示裝置和電子設備中,比彩色濾光片的導電性高的導電層形成在底發光的發光面板中的像素電路和彩色濾光片之間。這降低了像素電路受到彩色濾光片因接收有機EL元件發射EL光而帶電的影響的傾向。
在本發明中,像素電路例如包括保持電容器以及第一晶體管和第二晶體管。第一晶體管對保持電容器寫入預定電壓。第二晶體管根據保持電容器的電壓驅動有機EL元件。如果像素電路構造為如上所述,并且如果彩色濾光片形成在第一晶體管正上方或上方,則優選導電層應形成在第一晶體管和彩色濾光片之間。
此外,在本發明中,第一晶體管例如包括柵極、源極、漏極和溝道。如果第一晶體管構造為如上所述,則優選導電層應至少覆蓋第一晶體管與彩色濾光片相對的所有區域中的溝道的一部分。再進一步,更優選導電層應至少覆蓋第一晶體管與彩色濾光片相對的所有區域中的溝道以及源極和漏極中被外部提供信號的一方的相反側的端子,這是因為這使得像素電路更少地受到彩色濾光片帶電的影響。
再進一步,在本發明中,第一晶體管可通過絕緣層與導電層絕緣隔離。可選擇地,在本發明中,導電層可電性浮置。進一步可選擇地,導電層可電連接到不同于該導電層的導電構件而設定為預定電勢。
在根據本發明實施例的發光面板、顯示裝置和電子設備中,比彩色濾光片的導電性高的導電層形成在像素電路與彩色濾光片之間,從而降低了彩色濾光片帶電而導致的像素電路特性的變化。
附圖說明
圖1是根據本發明實施例的顯示裝置的示意圖;
圖2是圖1所示亞像素(subpixel)的電路圖;
圖3是圖1所示亞像素的構件的布局圖;
圖4是示出在箭頭A-A的方向上看圖3所示亞像素的截面結構的示例的圖示;
圖5是示出在箭頭B-B的方向上看圖3所示亞像素的截面結構的示例的圖示;
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





