[發(fā)明專利]襯底處理裝置及搬運(yùn)裝置無效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201210104814.0 | 申請(qǐng)日: | 2012-04-06 |
| 公開(公告)號(hào): | CN102738262A | 公開(公告)日: | 2012-10-17 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 西谷英輔;國井泰夫;豐田一行;吉田秀成;石坂光范 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 株式會(huì)社日立國際電氣 |
| 主分類號(hào): | H01L31/032 | 分類號(hào): | H01L31/032;H01L31/18;H01L21/677 |
| 代理公司: | 北京市金杜律師事務(wù)所 11256 | 代理人: | 楊宏軍 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 襯底 處理 裝置 搬運(yùn) | ||
1.一種襯底處理裝置,具有:
處理室,容納多個(gè)襯底,所述襯底形成有由銅-銦、銅-鎵或銅-銦-鎵中的任一種形成的層合膜;
反應(yīng)管,以構(gòu)成所述處理室的方式形成;
氣體供給管,向所述處理室中導(dǎo)入含硒元素氣體或含硫元素氣體;
排氣管,將所述處理室內(nèi)的氣體排出;
加熱部,以包圍上述反應(yīng)管的方式設(shè)置;及
風(fēng)扇,在所述多個(gè)玻璃襯底的表面上,使所述處理室內(nèi)的氣體在所述多個(gè)玻璃襯底的短邊方向上強(qiáng)制對(duì)流。
2.如權(quán)利要求1所述的襯底處理裝置,其中,沿著所述襯底的長邊方向配置多個(gè)所述風(fēng)扇。
3.如權(quán)利要求1或2所述的襯底處理裝置,還具有在所述多個(gè)襯底的長邊方向上延伸的、以夾持所述多個(gè)襯底的方式設(shè)置的一對(duì)內(nèi)壁。
4.如權(quán)利要求3所述的襯底處理裝置,其中,所述一對(duì)內(nèi)壁進(jìn)一步設(shè)置成夾持所述風(fēng)扇的側(cè)面。
5.如權(quán)利要求1或2所述的襯底處理裝置,其中,
所述風(fēng)扇具有在所述處理室內(nèi)旋轉(zhuǎn)的扇葉部,
對(duì)于所述扇葉部,通過以與所述扇葉部的基材相比硒化耐性或硫化耐性高的物質(zhì)作為主要成分的涂膜涂布所述扇葉部的基材。
6.如權(quán)利要求1或2所述的襯底處理裝置,其中,所述反應(yīng)管的基材由金屬材料形成。
7.如權(quán)利要求6所述的襯底處理裝置,其中,所述反應(yīng)管的至少暴露在所述處理室內(nèi)的氣體中的部分,用與所述反應(yīng)管的基材相比硒化耐性或硫化耐性高的物質(zhì)進(jìn)行涂布。
8.如權(quán)利要求1或2所述的襯底處理裝置,其中,在所述含硒元素氣體或所述含硫元素氣體于所述多個(gè)襯底的表面的流動(dòng)方向的、所述多個(gè)襯底的上游側(cè),設(shè)置有具有多個(gè)開口部的第1整流板。
9.如權(quán)利要求8所述的襯底處理裝置,在所述含硒元素氣體或所述含硫元素氣體于所述多個(gè)襯底的表面的流動(dòng)的方向的、所述多個(gè)襯底的下游測,設(shè)置有具有多個(gè)開口部的第2整流板。
10.如權(quán)利要求8所述的襯底處理裝置,其中,
沿著所述多個(gè)襯底的長邊方向設(shè)置多個(gè)所述風(fēng)扇,
所述第1整流板中,所述風(fēng)扇的正下方區(qū)域的所述開口部的開口率與配置有多個(gè)的所述風(fēng)扇之間的區(qū)域的所述開口部的開口率不同。
11.如權(quán)利要求1或2所述的襯底處理裝置,其中,
所述多個(gè)襯底被保持在保持盒內(nèi),
在所述多個(gè)襯底的長邊方向上配置多個(gè)所述保持盒。
12.一種搬運(yùn)裝置,將保持有多個(gè)襯底的保持盒搬運(yùn)至處理室內(nèi),且具有:
支承所述保持盒的支承部;
固定在所述支承部上的車輪部;
使所述支承部及所述車輪部一體工作的臂。
13.如權(quán)利要求12所述的搬運(yùn)裝置,其中,所述搬運(yùn)裝置還具有設(shè)置在所述支承部與所述車輪部之間的可升降的升降部。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對(duì)紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進(jìn)行電能控制的半導(dǎo)體器件;專門適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的,一個(gè)或多個(gè)電光源,如場致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的,并與其電光源在電氣上或光學(xué)上相耦合的
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