[發明專利]襯底處理裝置、及該裝置用反應管的表面涂膜形成方法

無效

• 申請號: 201210104811.7
• 申請日: 2012-04-06
• 公開（公告）號: CN102738296A
• 公開（公告）日: 2012-10-17
• 發明（設計）人: 西谷英輔;國井泰夫;豐田一行;檜山耕作;中筋智博;濱口龍哉;宮島生欣
• 申請（專利權）人: 株式會社日立國際電氣;東華隆株式會社
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18;H01L31/032;H01L21/67
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所 11256
• 代理人: 楊宏軍

1.一種襯底處理裝置，具有：

處理室，容納多個襯底，所述襯底形成有由銅-銦、銅-鎵或銅-銦-鎵中的任一種形成的層合膜；

反應管，以構成所述處理室的方式形成；

氣體供給管，向所述處理室中導入含硒元素氣體或含硫元素氣體；

排氣管，將所述處理室內的氣體排出；及

加熱部，以包圍所述反應管的方式設置，

所述反應管的靠所述處理室側的表面中的、至少暴露在所述含硒元素氣體或含硫元素氣體中的表面具有多孔狀涂膜，所述多孔狀涂膜以氧化鉻及氧化硅的混合物作為主要成分、且具有5％至15％的空隙率，

所述氧化鉻以Cr_xO_y表示，其中，x、y為1以上的任意整數，

所述氧化硅以Si_xO_y表示，其中，x、y為1以上的任意整數。

2.如權利要求1所述的襯底處理裝置，其中，所述反應管的基材的金屬材料為不銹鋼。

3.如權利要求2所述的襯底處理裝置，其中，所述涂膜在與所述反應管的基材的邊界附近具有FeCr類的氧化物層。

4.如權利要求1所述的襯底處理裝置，其中，在與所述多個襯底的表面相平行的方向上，配置有多個所述保持盒。

5.一種在反應管的表面形成涂膜的方法，所述反應管形成處理室，所述處理室用于將多個襯底暴露在含硒元素氣體或含硫元素氣體的氣氛中，所述襯底形成有由銅-銦、銅-鎵或銅-銦-鎵中的任一種形成的層合膜，所述方法包括如下工序：

洗滌工序，對所述反應管的基材的表面進行脫脂及洗滌；

粗糙化工序，對所述反應管的基材的表面進行噴砂，使基材表面粗糙化；

涂布工序，在所述被粗糙化的基材的表面涂布氧化鉻及氧化硅的混合物的漿料，所述氧化鉻以Cr_xO_y表示，其中，x、y為1以上的任意整數，所述氧化硅以Si_xO_y表示，其中，x、y為1以上的任意整數；

燒成工序，在規定的溫度下將涂布有所述漿料的基材燒成；及

浸漬工序，使化學致密化處理劑浸漬所述燒成工序后的基材，

將所述涂布工序、所述燒成工序及所述浸漬工序重復規定次數。