[發明專利]發光元件驅動電路及像素電路無效
| 申請號: | 201210104074.0 | 申請日: | 2012-04-10 |
| 公開(公告)號: | CN103366672A | 公開(公告)日: | 2013-10-23 |
| 發明(設計)人: | 廖文堆;張貝源;曾英璟;尹靜文 | 申請(專利權)人: | 東莞萬士達液晶顯示器有限公司;勝華科技股份有限公司 |
| 主分類號: | G09G3/32 | 分類號: | G09G3/32 |
| 代理公司: | 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205 | 代理人: | 臧建明 |
| 地址: | 523119 廣東省*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 發光 元件 驅動 電路 像素 | ||
技術領域
本發明是有關于一種平面顯示技術,且特別是有關于一種具有自發光特性的發光元件驅動電路及像素電路。
背景技術
由于多媒體社會的急速進步,半導體元件及顯示裝置的技術也隨之具有飛躍性的進步。就顯示器而言,由于主動式矩陣有機發光二極管(Active?Matrix?Organic?Light?Emitting?Diode,AMOLED)顯示器具有無視角限制、低制造成本、高應答速度(約為液晶的百倍以上)、省電、自發光、可用于可攜式機器的直流驅動、工作溫度范圍大以及重量輕且可隨硬件設備小型化及薄型化等等優點以符合多媒體時代顯示器的特性要求。因此,主動式矩陣有機發光二極管顯示器具有極大的發展潛力,可望成為下一代的新型平面顯示器,從而取代液晶顯示器(liquid?crystal?display,LCD)。
目前主動式矩陣有機發光二極管顯示面板主要有兩種制作方式,其一是利用低溫多晶硅(LTPS)的薄膜晶體管(TFT)工藝技術來制作,而另一則是利用非晶硅(α-Si)的薄膜晶體管(TFT)工藝技術來制作。其中,由于低溫多晶硅的薄膜晶體管工藝技術需要比較多道的掩模制造工藝而導致成本上升。因此,目前低溫多晶硅的薄膜晶體管工藝技術主要應用在中小尺寸的面板上,而非晶硅的薄膜晶體管工藝技術則主要應用在大尺寸的面板上。
一般來說,采用低溫多晶硅的薄膜晶體管工藝技術所制作出來的主動式矩陣有機發光二極管顯示面板,其像素電路中的薄膜晶體管的型態可以為P型或N型,但無論是選擇P型還是N型薄膜晶體管來實現有機發光二極管像素電路,流經有機發光二極管的電流不僅會隨著有機發光二極管的導通電壓(Voled_th)經長時間應力(long?time?stress)的變化而改變,而且還會隨著用以驅動有機發光二極管的薄膜晶體管的臨限電壓漂移(Vth?shft)而有所不同。如此一來,將會連帶影響到有機發光二極管顯示器的亮度均勻性(brightness?uniformity)與亮度恒定性(brightness?constancy)。
發明內容
有鑒于此,為有效地解決/改善現有技術所述及的問題(即,提升有機發光二極管顯示器的亮度均勻性與亮度恒定性),本發明的一示范性實施例提供一種發光元件驅動電路,其包括:驅動單元與數據儲存單元。驅動單元耦接在一預設電位與發光元件(例如:有機發光二極管,但并不限制于此)之間,且包含驅動晶體管,用以在一發光階段控制流經發光元件的一驅動電流。數據儲存單元包含直接耦接至傳導所述驅動電流的傳導路徑的儲存電容,用以在一數據寫入階段,通過儲存電容以對一數據電壓、關聯于驅動晶體管的臨界電壓以及關聯于發光元件的導通電壓進行儲存。在所述發光階段,驅動單元反應于儲存電容的跨壓而產生流經發光元件的所述驅動電流,且所述驅動電流不受驅動晶體管的臨界電壓以及發光元件的導通電壓的影響。
在本發明的一示范性實施例中,在所述預設電位為一接地電位的條件下,驅動單元還包括:發光控制晶體管,其柵極用以接收一發光信號,其源極耦接至所述接地電位,而其漏極則耦接驅動晶體管的源極與儲存電容的第一端。另外,驅動晶體管的漏極耦接有機發光二極管的陰極,而有機發光二極管的陽極則耦接至一電源電壓。
在本發明的一示范性實施例中,在所述預設電位為所述接地電位的條件下,數據儲存單元可以還包括:寫入晶體管、采集晶體管,以及轉換晶體管。寫入晶體管的柵極用以接收一掃描信號,寫入晶體管的漏極用以接收所述數據電壓,而寫入晶體管的源極則耦接儲存電容的第二端。采集晶體管的柵極用以接收所述掃描信號,采集晶體管的源極耦接驅動晶體管的柵極,而采集晶體管的漏極則耦接驅動晶體管的漏極與有機發光二極管的陰極。轉換晶體管的柵極用以接收所述發光信號,轉換晶體管的源極耦接驅動晶體管的柵極與采集晶體管的源極,而轉換晶體管的漏極則耦接寫入晶體管的源極與儲存電容的第二端。
在本發明的一示范性實施例中,在所述預設電位為所述接地電位的條件下,有機發光二極管驅動電路會先后進入所述數據寫入階段與所述發光階段。
在本發明的一示范性實施例中,在所述預設電位為所述接地電位的條件下,驅動晶體管、發光控制晶體管、寫入晶體管、采集晶體管,以及轉換晶體管皆為N型晶體管。
在本發明的一示范性實施例中,在所述預設電位為所述接地電位的條件下,在所述數據寫入階段,僅所述掃描信號致能;以及在所述發光階段,僅所述發光信號致能。
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