[發明專利]陣列基板及其制作方法

有效

• 申請號: 201210104072.1
• 申請日: 2012-04-09
• 公開（公告）號: CN102709238A
• 公開（公告）日: 2012-10-03
• 發明（設計）人: 辜慧玲;陳佳榆;鐘宜臻;陳宇宏;周奇緯;張凡偉;呂學興;丁宏哲
• 申請（專利權）人: 友達光電股份有限公司
• 主分類號: H01L21/77
• 分類號: H01L21/77;H01L29/786
• 代理公司: 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006
• 代理人: 梁揮;鮑俊萍

1.一種陣列基板的制作方法，其特征在于，包括：

提供一基板；

進行一第一光掩模工藝，該第一光掩模工藝包括：

于該基板上依序形成一第一導電層、一柵極介電層、一半導體層以及一蝕刻阻擋層，并于該蝕刻阻擋層上形成一第一圖案化光刻膠；

進行一第一蝕刻工藝，將未被該第一圖案化光刻膠覆蓋的該蝕刻阻擋層與該半導體層移除，以部分暴露出該柵極介電層；

進行一第二蝕刻工藝，對該第一圖案化光刻膠、該蝕刻阻擋層以及該柵極介電層進行蝕刻，以形成一圖案化柵極介電層與一圖案化蝕刻阻擋層，并部分暴露出該第一導電層與該半導體層；

將未被該圖案化柵極介電層覆蓋的該第一導電層移除，以形成一柵極電極；以及

將未被該圖案化蝕刻阻擋層覆蓋的該半導體層移除，以形成一圖案

化半導體層，并部分暴露出該圖案化柵極介電層；以及進行一第二光掩模工藝，該第二光掩模工藝包括：

形成一保護層，至少部分覆蓋該基板以及該圖案化蝕刻阻擋層；以及

將未被該保護層覆蓋的該圖案化蝕刻阻擋層移除，以至少部分暴露該

圖案化半導體層。

2.根據權利要求1所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，該第一光掩模工藝更包括將未被該圖案化柵極介電層覆蓋的該第一導電層移除，以形成一墊電極。

3.根據權利要求2所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，該第二光掩模工藝更包括將未被該圖案化半導體層覆蓋的該圖案化柵極介電層移除，以至少部分暴露該墊電極。

4.根據權利要求1所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，更包括進行一第三光掩模工藝，以于該保護層與該圖案化半導體層上形成一源極電極以及一漏極電極。

5.根據權利要求4所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，更包括：

利用該第三光掩模工藝于該漏極電極上形成一像素電極；以及

進行一第四光掩模工藝，以于該像素電極上形成一間隔層，其中該間隔層具有一像素開口，且該像素開口至少部分暴露該像素電極。

6.根據權利要求4所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，更包括：

利用該第三光掩模工藝于該漏極電極與該保護層之間形成一像素電極；以及

進行一第四光掩模工藝，以于該源極電極以及該漏極電極上形成一間隔層，其中該間隔層具有一像素開口，且該像素開口至少部分暴露該像素電極。

7.根據權利要求4所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，該第三光掩模工藝包括形成一間隔層，并以該間隔層定義出該源極電極以及該漏極電極。

8.根據權利要求7所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，該第三光掩模工藝更包括利用該間隔層定義出一像素電極。

9.根據權利要求7所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，該間隔層包括一第一厚度區以及一第二厚度區，且位于該第二厚度區的該間隔層的一厚度小于位于該第一厚度區的該間隔層的一厚度。

10.根據權利要求9所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，更包括將該第二厚度區的該間隔層移除，以形成一像素開口。

11.根據權利要求1所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，該第一圖案化光刻膠包括一第一厚度區以及一第二厚度區，且位于該第二厚度區的該第一圖案化光刻膠的一厚度小于位于該第一厚度區的該第一圖案化光刻膠的一厚度。

12.根據權利要求11所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，該第二厚度區的該第一圖案化光刻膠以及對應的該蝕刻阻擋層于該第二蝕刻工藝中移除。

13.根據權利要求1所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，該第一光掩模工藝更包括：

于該第一導電層形成之前，于該基板上形成一透明導電層；以及

將未被該圖案化柵極介電層覆蓋的該透明導電層移除，以形成一像素電極。