[發(fā)明專利]制作具有織化表面的半導(dǎo)體層的方法、制作太陽(yáng)能電池的方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201210104020.4
• 申請(qǐng)日: 2012-04-09
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN103258716A
• 公開(kāi)（公告）日: 2013-08-21
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 王珽玉;陳建勛;杜政勛;貢中元
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 財(cái)團(tuán)法人工業(yè)技術(shù)研究院
• 主分類號(hào): H01L21/02
• 分類號(hào): H01L21/02;H01L31/18
• 代理公司: 北京律誠(chéng)同業(yè)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11006
• 代理人: 徐金國(guó)

1.一種制作具有織化表面的半導(dǎo)體層的方法，其特征在于，包括以下步驟：

(a)提供一圖案化基板；

(b)形成至少一半導(dǎo)體層于該圖案化基板之上；

(c)形成一金屬層于該半導(dǎo)體層之上；以及

(d)對(duì)該圖案化基板與其上述各層進(jìn)行一熱處理制程，以將該半導(dǎo)體層轉(zhuǎn)印到該金屬層之上并移除該圖案化基板，以得到一具有織化表面的半導(dǎo)體層。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制作具有織化表面的半導(dǎo)體層的方法，其特征在于，該基板包括藍(lán)寶石、石英、碳化硅或氧化物晶體。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制作具有織化表面的半導(dǎo)體層的方法，其特征在于，該半導(dǎo)體層包括硅、鍺、硅鍺、氮化鎵、砷化鎵、磷化鎵、氮化銦、磷化銦、砷化銦或上述的組合。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的制作具有織化表面的半導(dǎo)體層的方法，其特征在于，該硅包括多晶硅、單晶硅或微晶硅。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制作具有織化表面的半導(dǎo)體層的方法，其特征在于，于步驟(b)中，形成該半導(dǎo)體層的方法包括化學(xué)氣相沉積法、物理氣相沉積法或分子束磊晶。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制作具有織化表面的半導(dǎo)體層的方法，其特征在于，于步驟(c)形成該金屬層之前，尚包括：對(duì)該半導(dǎo)體層進(jìn)行一摻雜步驟。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制作具有織化表面的半導(dǎo)體層的方法，其特征在于，該金屬層包括金、鋁、銀或上述的合金。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制作具有織化表面的半導(dǎo)體層的方法，其特征在于，于步驟(c)形成該金屬層的方法包括涂布、印刷、電鍍或物理氣相沉積。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制作具有織化表面的半導(dǎo)體層的方法，其特征在于，于步驟(d)中，該熱處理制程的溫度為約200-1000℃。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制作具有織化表面的半導(dǎo)體層的方法，其特征在于，于步驟(d)中，該熱處理制程的時(shí)間為約10-60分鐘。

11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制作具有織化表面的半導(dǎo)體層的方法，其特征在于，該具有織化表面半導(dǎo)體層的厚度為約1-150μm。

12.一種制作太陽(yáng)能電池的方法，包括以下步驟：

(a-2)提供一圖案化基板；

(b-2)形成至少一硅層于該圖案化基板之上；

(c-2)形成一金屬層于該硅層之上；

(d-2)對(duì)圖案化基板與其上述各層進(jìn)行一熱處理制程，以將該硅層轉(zhuǎn)印到該金屬層之上并移除該圖案化基板，以得到一具有織化表面的硅層；

(e-2)形成一抗反射層于該具有織化表面的硅層之上；以及

(f-2)形成一電極層于該抗反射層之上。

13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的制作太陽(yáng)能電池的方法，其特征在于，于步驟(b-2)中，形成至少一硅層于該圖案化基板之上包括：

形成一P型硅層于該圖案化基板之上；以及

形成一N型硅層于該P(yáng)型硅層之上。

14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的制作太陽(yáng)能電池的方法，其特征在于，該硅層包括多晶硅、單晶硅或微晶硅。

15.根據(jù)權(quán)利要求12所述的制作太陽(yáng)能電池的方法，其特征在于，于步驟(d-2)中，該熱處理制程的溫度為約200-1000℃。

16.根據(jù)權(quán)利要求12所述的制作太陽(yáng)能電池的方法，其特征在于，于步驟(d-2)中，該熱處理制程的時(shí)間為約10-60分鐘。