[發(fā)明專利]一種NAND閃存

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210104010.0
• 申請日: 2012-04-10
• 公開（公告）號: CN103365791A
• 公開（公告）日: 2013-10-23
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 蘇志強(qiáng);丁沖;張現(xiàn)聚
• 申請（專利權(quán)）人: 北京兆易創(chuàng)新科技股份有限公司
• 主分類號: G06F12/08
• 分類號: G06F12/08
• 代理公司: 北京安信方達(dá)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11262
• 代理人: 栗若木;曲鵬

1.一種NAND閃存，包括：存儲單元；

其特征在于，還包括：

串行接口，包括第一串行端口和第二串行端口；

片選使能信號輸入端口，用于接收片選使能信號；

控制單元，用于片選使能信號為低電平時，指示所述第一串行端口接收輸入數(shù)據(jù)；當(dāng)接收完輸入數(shù)據(jù)后，指示所述第二串行端口輸出地址對應(yīng)的所述存儲單元的數(shù)據(jù)。

2.如權(quán)利要求1所述的NAND閃存，其特征在于：

所述串行接口為I2C接口。

3.如權(quán)利要求1所述的NAND閃存，其特征在于：

所述串行接口為標(biāo)準(zhǔn)單輸入輸出接口。

4.如權(quán)利要求1所述的NAND閃存，其特征在于：

所述第二串行端口包括第一串行輸出端口和第二串行輸出端口；

所述控制單元指示所述第二串行端口輸出地址對應(yīng)的數(shù)據(jù)給所述存儲單元是指：

所述控制單元指示所述第一串行輸出端口和第二串行輸出端口同時輸出地址對應(yīng)的所述存儲單元的數(shù)據(jù)。

5.如權(quán)利要求1所述的NAND閃存，其特征在于：

所述第二串行端口包括第一串行輸出端口、第二串行輸出端口、第三串行輸出端口和第四串行輸出端口；

所述控制單元指示所述第二串行端口輸出地址對應(yīng)的數(shù)據(jù)給所述存儲單元是指：

所述控制單元指示所述第一串行輸出端口、第二串行輸出端口、第三串行輸出端口和第四串行輸出端口同時輸出地址對應(yīng)的所述存儲單元的數(shù)據(jù)。

6.如權(quán)利要求3到5中任一項(xiàng)所述的NAND閃存，其特征在于：

當(dāng)所述第一串行端口接收輸入數(shù)據(jù)中的命令信號、地址信號以及空字節(jié)時所述第二串行端口為高阻態(tài)。

7.如權(quán)利要求1所述的NAND閃存，其特征在于：

所述控制單元還用于當(dāng)所述第一串行端口接收完輸入數(shù)據(jù)中的命令信號后，指示所述第二串行端口和所述第一串行端口同時接收其余的輸入數(shù)據(jù)；還用于當(dāng)接收完輸入數(shù)據(jù)后，指示所述第一串行端口和所述第二串行端口同時輸出地址對應(yīng)的所述存儲單元的數(shù)據(jù)。

8.如權(quán)利要求1所述的NAND閃存，其特征在于：

所述第二串行端口包括第一串行輸出端口、第二串行輸出端口和第三串行輸出端口；

所述控制單元還用于當(dāng)所述第一串行端口接收完輸入數(shù)據(jù)中的命令信號后，指示所述第一串行輸出端口、第二串行輸出端口和第三串行輸出端口和所述第一串行端口同時接收其余的輸入數(shù)據(jù)；

所述控制單元指示所述第二串行端口輸出地址對應(yīng)的數(shù)據(jù)給所述存儲單元是指：

所述控制單元指示所述第一串行端口、第一串行輸出端口、第二串行輸出端口和第三串行輸出端口同時輸出地址對應(yīng)的所述存儲單元的數(shù)據(jù)。

9.如權(quán)利要求7或8所述的NAND閃存，其特征在于：

所述第一串行端口接收輸入數(shù)據(jù)中的命令信號時第二串行端口為高阻態(tài)。