[發(fā)明專利]高壓發(fā)光體、發(fā)光體及照明裝置

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210103962.0
• 申請日: 2008-01-22
• 公開（公告）號: CN102683376A
• 公開（公告）日: 2012-09-19
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 杰拉爾德·H.·尼格利;安東尼·保羅·范德溫
• 申請（專利權(quán)）人: 科銳公司
• 主分類號: H01L27/15
• 分類號: H01L27/15;H01L33/62
• 代理公司: 深圳市順天達(dá)專利商標(biāo)代理有限公司 44217
• 代理人: 郭偉剛;鄒秋菊

1.一種高壓發(fā)光體，其特征在于，包括：

第一基底上的第一多個發(fā)光器件；

電連接到所述第一多個發(fā)光器件的互連載體，所述互連載體具有位于其上的電路；

所述第一多個發(fā)光器件由所述互連載體電連接以提供發(fā)光器件并聯(lián)子組的串聯(lián)陣列。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高壓發(fā)光體，其特征在于，所述陣列包括至少兩個串聯(lián)的發(fā)光器件子組，每個所述子組包括至少三個并聯(lián)電連接的發(fā)光器件。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高壓發(fā)光體，其特征在于，所述電路包括配置成向所述發(fā)光器件供電的電源電路。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高壓發(fā)光體，其特征在于，所述電路包括不是所述第一基底上的所述第一多個發(fā)光器件的發(fā)光器件。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高壓發(fā)光體，其特征在于，所述電路包括：

不是所述第一基底上的所述第一多個發(fā)光器件的發(fā)光器件；

配置成向所述發(fā)光器件供電的電源電路。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高壓發(fā)光體，其特征在于，所述多個發(fā)光器件具有不同的大小和/或形狀。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高壓發(fā)光體，其特征在于，所述電路包括配置成選擇性隔離所述多個發(fā)光器件中的故障一個的多個熔斷絲。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高壓發(fā)光體，其特征在于，所述第一多個發(fā)光器件在所述第一基底上形成。

9.一種發(fā)光體，其特征在于，包括：

第一n-型層；

第一p-型層；和

至少第一互連元件；

所述第一n-型層包括第一n-型區(qū)域、第二n-型區(qū)域、第三n-型區(qū)域、第四n-型區(qū)域、第五n-型區(qū)域和第六n-型區(qū)域，

所述第一n-型區(qū)域、第二n-型區(qū)域、第三n-型區(qū)域、所述第四n-型區(qū)域、第五n-型區(qū)域和第六n-型區(qū)域彼此隔離，

第一p-型層包括第一p-型區(qū)域、第二p-型區(qū)域、第三p-型區(qū)域、第四p-型區(qū)域、第五p-型區(qū)域和第六p-型區(qū)域，

所述第一p-型區(qū)域、第二p-型區(qū)域、第三p-型區(qū)域、第四p-型區(qū)域、第五p-型區(qū)域和第六p-型區(qū)域彼此隔離，

所述第一n-型區(qū)域和所述第一p-型區(qū)域一起包括第一發(fā)光器件，

所述第二n-型區(qū)域和所述第二p-型區(qū)域一起包括第二發(fā)光器件，

所述第三n-型區(qū)域和所述第三p-型區(qū)域一起包括第三發(fā)光器件，

所述第四n-型區(qū)域和所述第四p-型區(qū)域一起包括第四發(fā)光器件，

所述第五n-型區(qū)域和所述第五p-型區(qū)域一起包括第五發(fā)光器件，

所述第六n-型區(qū)域和所述第六p-型區(qū)域一起包括第六發(fā)光器件，

所述第一互連元件包括至少互連元件第一n-型觸頭、互連元件第二n-型觸頭、互連元件第三n-型觸頭、互連元件第一p-型觸頭、互連元件第二p-型觸頭和互連元件第三p-型觸頭，

所述互連元件第一n-型觸頭電連接到所述第一n-型區(qū)域，

所述互連元件第二n-型觸頭電連接到所述第二n-型區(qū)域，

所述互連元件第三n-型觸頭電連接到所述第三n-型區(qū)域，

所述互連元件第一p-型觸頭電連接到所述第四p-型區(qū)域，

所述互連元件第二p-型觸頭電連接到所述第五p-型區(qū)域，

所述互連元件第三p-型觸頭電連接到所述第六p-型區(qū)域，

所述互連元件第一n-型觸頭電連接到所述互連元件第二n-型觸頭、所述互連元件第三n-型觸頭、所述互連元件第一p-型觸頭、所述互連元件第二p-型觸頭以及所述互連元件第三p-型觸頭。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高壓發(fā)光體，其特征在于，所述第一n-型層和所述第一p-型層在共用基底上形成。