[發(fā)明專利]用于具有磁性元件的變壓器的結(jié)構(gòu)和方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201210103817.2 | 申請(qǐng)日： | 2012-04-10 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN103187393A | 公開（公告）日： | 2013-07-03 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 顏孝璁;林佑霖;呂盈達(dá);陳煥能;陳和祥 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司 |
| 主分類號(hào)： | H01L23/522 | 分類號(hào)： | H01L23/522;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京德恒律師事務(wù)所 11306 | 代理人： | 陸鑫;房嶺梅 |
| 地址： | 中國(guó)臺(tái)*** | 國(guó)省代碼： | 中國(guó)臺(tái)灣;71 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 用于 具有 磁性 元件 變壓器 結(jié)構(gòu) 方法 | ||
1.一種半導(dǎo)體器件，包括：
第一電感器，形成在第一襯底上；
第二電感器，形成在第二襯底上并且與所述第一電感器電感耦合作為變壓器；以及
多個(gè)微凸塊元件，被配置在所述第一襯底和所述第二襯底之間，
其中，所述多個(gè)微凸塊元件包括磁性材料，所述磁性材料具有基本大于1的相對(duì)磁導(dǎo)率并且被配置成增強(qiáng)所述第一電感器和所述第二電感器之間的耦合。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中
所述第一襯底包括半導(dǎo)體襯底，所述半導(dǎo)體襯底上形成有集成電路；并且
所述第二襯底包括接合至所述第一襯底的中介層。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述中介層包括具有硅通孔的硅襯底。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述微凸塊元件與所述第一電感器和所述第二電感器電斷開。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，還包括：電介質(zhì)底部填充材料，設(shè)置在所述第一襯底和所述第二襯底之間，使得所述多個(gè)微凸塊元件嵌入所述底部填充材料中。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述磁性材料包括鎳、鈷和鐵中的一種。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述磁性材料選自包括鎳、氮化鎳、和硅化鎳的組。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述微凸塊元件被成形為具有直徑和大于所述直徑的高度。
9.一種半導(dǎo)體器件，包括：
半導(dǎo)體襯底，具有集成電路(IC)器件；
互連結(jié)構(gòu)，設(shè)置在所述半導(dǎo)體襯底上并且與所述IC器件相連接；以及
變壓器，設(shè)置在所述半導(dǎo)體襯底上并且被集成在所述互連結(jié)構(gòu)中，其中，所述變壓器包括：
第一電感器；
第二電感器，與所述第一電感器電感耦合，以及
磁性材料，接近所述第一電感器和第二電感器設(shè)置并且被配置成增
強(qiáng)所述第一電感器和第二電感器之間的電感耦合。
10.一種集成電路結(jié)構(gòu)，包括：
第一襯底，具有第一電感器；
第二襯底，具有與所述第一電感器耦合作為變壓器的第二電感器；
襯底通孔(TSV)中介層，接合在所述第一襯底和所述第二襯底之間并且具有嵌入在所述襯底通孔中介層中的多個(gè)通孔元件；以及
所述通孔元件的至少一個(gè)子集，被配置成鄰近所述第一電感器和所述第二電感器并且包括具有基本大于1的相對(duì)磁導(dǎo)率的磁性材料。
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