[發(fā)明專利]柵下體引出高可靠LDMOS功率器件

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201210103801.1
• 申請(qǐng)日: 2012-04-10
• 公開（公告）號(hào): CN102623507A
• 公開（公告）日: 2012-08-01
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 姜一波;杜寰
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中國(guó)科學(xué)院微電子研究所
• 主分類號(hào): H01L29/78
• 分類號(hào): H01L29/78;H01L29/06
• 代理公司: 北京市德權(quán)律師事務(wù)所 11302
• 代理人: 劉麗君

1.一種柵下體引出高可靠LDMOS功率器件，其特征在于，包括：

在LDMOS功率器件的LDMOS柵的下方注入有體注入?yún)^(qū)；

通過體引出引出并抽取所述體注入?yún)^(qū)附近載流子，控制所述體注入?yún)^(qū)附近電位。

2.如權(quán)利要求1所述的柵下體引出高可靠LDMOS功率器件，其特征在于：

所述體引出與源端引出短接，使得LDMOS功率器件的體注入?yún)^(qū)電位與源區(qū)電位相等。

3.如權(quán)利要求1所述的柵下體引出高可靠LDMOS功率器件，其特征在于：

所述體引出單獨(dú)接入一電位，當(dāng)功率器件為N型LDMOS功率器件時(shí)，接入電位應(yīng)低于源端電位，當(dāng)功率器件為P型LDMOS功率器件時(shí)，接入電位應(yīng)高于源端電位。

4.如權(quán)利要求2或3所述的柵下體引出高可靠LDMOS功率器件，其特征在于：

所述體引出為導(dǎo)電金屬，包括多晶硅、鋁或銅。

5.如權(quán)利要求4所述的柵下體引出高可靠LDMOS功率器件，其特征在于：

所述體注入?yún)^(qū)可以通過STI隔離方式注入形成；

所述STI隔離區(qū)是利用STI工藝形成至少數(shù)微米深的STI層隔離區(qū)，此深度應(yīng)大于漂移區(qū)、漏端注入?yún)^(qū)及所述體接觸區(qū)體注入?yún)^(qū)的深度，用以隔離所述體接觸區(qū)體注入?yún)^(qū)和外圍其他區(qū)域。

6.如權(quán)利要求5所述的柵下體引出高可靠LDMOS功率器件，其特征在于：

所述STI隔離區(qū)的形狀包括四邊形、六邊形或八邊形。

7.如權(quán)利要求6所述的柵下體引出高可靠LDMOS功率器件，其特征在于：

所述體注入?yún)^(qū)數(shù)量為一個(gè)或一個(gè)以上，所述體注入?yún)^(qū)的數(shù)量與所述隔離區(qū)的數(shù)量相同。

8.如權(quán)利要求4所述的柵下體引出高可靠LDMOS功率器件，其特征在于：

所述體注入?yún)^(qū)可以通過柵變形方式注入形成；

所述柵變形是對(duì)LDMOS柵進(jìn)行物理變形以全部或局部囊括所述體注入?yún)^(qū)。

9.如權(quán)利要求8所述的柵下體引出高可靠LDMOS功率器件，其特征在于：

所述體注入?yún)^(qū)數(shù)量為一個(gè)或一個(gè)以上。

10.如權(quán)利要求9所述的柵下體引出高可靠LDMOS功率器件，其特征在于：

所述柵變形以全部或局部囊括所述提注入?yún)^(qū)的多邊形結(jié)構(gòu)包括四邊形、六邊形或八邊形。