[發明專利]高可靠SOI LDMOS功率器件

有效

• 申請號: 201210103676.4
• 申請日: 2012-04-10
• 公開（公告）號: CN102623506A
• 公開（公告）日: 2012-08-01
• 發明（設計）人: 姜一波;杜寰
• 申請（專利權）人: 中國科學院微電子研究所
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L29/06
• 代理公司: 北京市德權律師事務所 11302
• 代理人: 劉麗君

1.一種高可靠SOI?LDMOS功率器件，其特征在于，包括：

在SOI?LDMOS功率器件的頂層硅中，注入有高濃度的埋層和接觸注入區，且埋層與接觸注入區連接；

通過所述埋層可充分抽取SOI?LDMOS功率器件中SOI?LDMOS柵附近的載流子，并經所述接觸注入區引出，控制SOI?LDMOS柵附近的電位。

2.如權利要求1所述的高可靠SOI?LDMOS功率器件，其特征在于：

所述SOI?LDMOS是指以絕緣層上硅工藝所制成的橫向雙擴散晶體管器件。

3.如權利要求2所述的高可靠SOI?LDMOS功率器件，其特征在于，所述絕緣層上硅工藝包括：

注氧隔離SIMOX或硅片鍵合反面腐蝕。

4.如權利要求3所述的高可靠SOI?LDMOS功率器件，其特征在于：

SOI?LDMOS的頂層硅是指埋氧層上制作半導體器件的區域。

5.如權利要求4所述的高可靠SOI?LDMOS功率器件，其特征在于：

所述接觸注入區與源端引出短接，使其電位與源區電位相等。

6.如權利要求5所述的高可靠SOI?LDMOS功率器件，其特征在于：

所述接觸注入區單獨接入一電位；

對于N型SOI?LDMOS，高濃度的P型接觸注入區連接并引出P型埋層，并與低于源端的電位連接；

對于P型SOI?LDMOS，高濃度的N型接觸注入區連接并引出N型埋層并與低于源端的電位連接。

7.如權利要求5或6所述的高可靠SOI?LDMOS功率器件，其特征在于，所述接觸注入區包括：

高濃度接觸注入區或金屬接觸引出區；

所述金屬接觸引出區中的金屬包括鋁、銅、鎢或其化合物。

8.如權利要求5或6所述的高可靠SOI?LDMOS功率器件，其特征在于，

所述埋層設在埋氧層表面或埋氧層與器件表面之間的位置；

所述埋層的范圍為器件工作區域的一部分、器件工作的全部區域或者整個SOI基底。