[發明專利]薄膜晶體管有效
| 申請號： | 201210102931.3 | 申請日： | 2012-04-10 |
| 公開（公告）號： | CN102664194A | 公開（公告）日： | 2012-09-12 |
| 發明（設計）人： | 許民慶;吳釗鵬;黎昔耀;曹巖 | 申請（專利權）人： | 深超光電(深圳)有限公司 |
| 主分類號： | H01L29/786 | 分類號： | H01L29/786 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 518109 廣東省深圳市*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 薄膜晶體管 | ||
1.一薄膜晶體管，包括：
一基板；
一柵極，設置于該基板上；
一柵絕緣層，覆蓋該柵極及該基板；
一主動層，設置于該柵絕緣層上，并位于該柵極上方；
一源極，設置于該主動層上；
一漏極，設置于該主動層上，并與該源極相對設置；
其中，該柵絕緣層包括設置于柵極及該基板上的第一柵絕緣層、在該第一柵絕緣層之上的第二柵絕緣層，且該第一柵絕緣層的膜質比該第二柵絕緣層的膜質致密。
2.如權利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于：該絕緣層更包括一第三柵絕緣層，該第三柵絕緣層夾置于該第一柵絕緣層和該第二柵絕緣層之間，且該第三柵絕緣層的膜質要比該第二柵絕緣層的膜質疏松。
3.如權利要求2所述的薄膜晶體管，其特征在于：該第一柵絕緣層的折射率大于1.9，該第二柵絕緣層的折射率比該第一柵絕緣層的折射率要小0.02～0.03，該第三柵絕緣層的折射率要小于該第二柵絕緣層。
4.如權利要求3所述的薄膜晶體管，其特征在于：該第三柵絕緣層的折射率為1.82～1.87。
5.如權利要求2所述的薄膜晶體管，其特征在于：該第一柵絕緣層的厚度介于?到?之間，該第二柵絕緣層的厚度大體上為?該第三柵絕緣層的厚度為?
6.如權利要求2所述的薄膜晶體管，其特征在于：該第一柵絕緣層、該第二柵?絕緣層、該第三柵絕緣層的材料為氮化硅。
7.如權利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于：該第一柵絕緣層的折射率大于1.9，該第二柵絕緣層的折射率比該第一柵絕緣層的折射率要小0.02～0.03。
8.如權利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于：該第一柵絕緣層、該第二柵絕緣層材料為氮化硅。
9.如權利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于：該主動層包括有源層和歐姆接觸層，該有源層位于該柵絕緣層之上，該歐姆接觸層位于該有源層之上，且該歐姆接觸層之上設置該源極和該漏極。
10.如權利要求9所述的薄膜晶體管，其特征在于：該有源層的材料為非晶硅(a-Si)，該歐姆接觸層為在非晶硅里面摻雜P(磷)元素形成。
11.如權利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于：該主動層的材料為IGZO、IZO、ZnO、ZnSnO、GIZO之一。
12.一薄膜晶體管，包括：
一基板；
一柵極，設置于該基板上；
一柵絕緣層，覆蓋該柵極及該基板；
一主動層，設置于該柵絕緣層上，并位于該柵極上方；
一源極，設置于該主動層上；
一漏極，設置于該主動層上，并與該源極相對設置；
其中，該柵絕緣層包括設置于柵極及該基板上的第一柵絕緣層、在該第一柵絕緣層之上的第二柵絕緣層，且該柵絕緣層包含N-H鍵、Si-H鍵鍵結，該第一柵絕緣層N-H鍵、Si-H鍵含量小于該第二柵絕緣層N-H鍵、Si-H鍵含量。?
13.如權利要求12所述的薄膜晶體管，其特征在于：該第一柵絕緣層N-H鍵、Si-H鍵含量小于15％，該第二柵絕緣層N-H、Si-H鍵含量小于20％。
14.如權利要求12所述的薄膜晶體管，其特征在于：該柵絕緣層更包括一第三柵絕緣層，該第三柵絕緣層夾置于該第一柵絕緣層和該第二柵絕緣層之間，且該第三柵絕緣層N-H鍵、Si-H鍵含量大于該第二柵絕緣層N-H鍵、Si-H鍵含量。
15.如權利要求14所述的薄膜晶體管，其特征在于：該第三柵絕緣層中N-H鍵、Si-H鍵含量大于20％。
16.如權利要求14所述的薄膜晶體管，其特征在于：該第一柵絕緣層的厚度介于?到?之間，該第二柵絕緣層的厚度大體上為?該第三柵絕緣層的厚度為?
17.如權利要求12或14所述的薄膜晶體管，其特征在于：該柵絕緣層的材料為氮化硅。
18.如權利要求12所述的薄膜晶體管，其特征在于：該主動層的材料為非晶矽、IGZO、IZO、ZnO、ZnSnO、GIZO之一。
19.如權利要求12或14所述的薄膜晶體管，其特征在于：該柵絕緣層還包括Si-N鍵、N-N鍵、Si-Si鍵鍵結。?
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于深超光電(深圳)有限公司，未經深超光電(深圳)有限公司許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201210102931.3/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 同類專利
- 專利分類
