[發明專利]1,4-雙(氯二氟甲基)苯的簡易式高效率制備方法有效
| 申請號: | 201210102699.3 | 申請日: | 2012-04-10 |
| 公開(公告)號: | CN103102242A | 公開(公告)日: | 2013-05-15 |
| 發明(設計)人: | 林俊旭;鄞弘政;孫謙益;鄞永裕;周娟玉 | 申請(專利權)人: | 元欣科技材料股份有限公司 |
| 主分類號: | C07C22/08 | 分類號: | C07C22/08;C07C17/14 |
| 代理公司: | 中科專利商標代理有限責任公司 11021 | 代理人: | 周長興 |
| 地址: | 中國臺*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 氯二氟 甲基 簡易 高效率 制備 方法 | ||
技術領域
本發明是關于一種制備1,4-雙(氯二氟甲基)苯(1,4-Bis(chlorodifluoromethyl)benzene)的方法,尤其指一種工藝簡單、反應時間短且產率高的批次式或連續式用以制備1,4-雙(氯二氟甲基)苯的方法。?
背景技術
聚對二甲苯(parylene)采用真空熱解化學氣相堆積(CVD)工藝制備,可制成極薄的薄膜,具有極其優良的電性能、耐熱性、化學穩定性和無色高透明度等,主要用作薄膜和涂層,廣泛應用于印刷電路板的電性隔絕、傳感器或醫療儀器的防潮保護、電子組件的電絕緣介質、保護性涂料和封裝材料以及金屬鍍膜的防蝕等。?
近來,由于含氟的聚對二甲苯,如聚(四氟-對二甲苯)具有如下式(1)的結構:?
式(1)?
其具有高熔點及低介電常數,加上優越的抗紫外和抗老化性能,可應用于電子組件及涂料工業的介電薄膜。目前,含氟聚對二甲苯的涂敷方式是經由較活性的單體(monomer)聚合于物體表面上,而不同于一般常見經由液體涂層的方法制備,其涂敷過程先將類似對二甲苯的二聚物(dimer),如八氟-2,2-對擬環物(Octafluoro-(2,2)-paracyclophane;AF4)(如下式(2))加熱氣化,再通過高溫裂解為含氟對二甲苯(para-xylene)的單體自由基(monomer?free?radical),然后沉積于被鍍對象上聚合,形成聚(四氟對二甲苯),即俗稱的parylene?HT,如式(1)。?
式(2)?
簡稱AF4?
其中,制備上述含氟對二甲苯的二聚物(AF4)的關鍵前驅物的一為1,4-雙(氯二氟甲基)苯(1,4-bis(chlorodifluoromethyl)benzene),其結構如下式(3)所示。?
式(3)?
目前已知的1,4-雙(氯二氟甲基)苯制備方法,是將1,4-雙(二氟甲基)苯(1,4-bis(difluoromethyl)benzene)溶于一溶劑中,如四氯化碳(carbontetrachloride),并提供一光起始劑,將氯氣通入反應溶液后,經照光后,光起始劑可催化1,4-雙(二氟甲基)苯反應,而得1,4-雙(氯二氟甲基)苯。然而,此方法的缺點為反應時間長、產率低,以及必須使用環保管制溶劑(CCl4)或光起始劑,并經由較復雜的純化步驟,且耗用多量的能源才能夠獲得最終產物。?
因此,如何提供一個快速、容易純化、低成本且適合大量生產的1,4-雙(氯二氟甲基)苯制備方法為目前尚待解決的課題。而本發明即為提供含氟對二甲苯的二聚物的關鍵前驅物1,4-雙(氯二氟甲基)苯的一簡易且低成本的大量制備方法。?
發明內容
本發明的目的在于提供一種制備1,4-雙(氯二氟甲基)苯的方法,以克服公知技術中存在的缺陷。?
為實現上述目的,本發明提供的1,4-雙(氯二氟甲基)苯(1,4-Bis(chlorodifluoromethyl)benzene)的簡易合成方法,其步驟包括:?
(A)提供一包含1,4-雙(二氟甲基)苯(1,4-Bis(difluoromethyl)benzene)的反應溶液;以及?
(B)于溫度50-90℃且壓力大于1atm下通入氯氣(Cl2)至該反應溶液,以得到1,4-雙(氯二氟甲基)苯。?
所述的合成方法,其中,于步驟(B)中,包括以一光源照射該反應物。?
所述的合成方法,其中,該光源為一紫外線光源。?
所述的合成方法,其中,該紫外線光源的強度為10-400W。?
所述的合成方法,其中,該光源為一水銀汞燈光源。?
所述的合成方法,其中,該水銀汞燈光的強度為300-1000W。?
所述的合成方法,其中,氯氣及1,4-雙(二氟甲基)苯的摩爾比介于2∶1至4∶1之間。?
所述的合成方法,其中,該合成方法的反應壓力為1.001至1.10atm。?
所述的合成方法,其中,于步驟(B)中,包括以一堿性溶液中和多余未反應的氯氣。?
所述的合成方法,其中,該中和反應所使用的堿性溶液為KOH、NaOH或NH4OH溶液。?
所述的合成方法,其中,該反應溫度介于70-90℃之間。?
所述的合成方法,其中,該反應溫度介于50-70℃之間。?
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