[發(fā)明專利]采用注入的自對準(zhǔn)圖案化

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210102555.8
• 申請日: 2012-04-09
• 公開（公告）號: CN103187263A
• 公開（公告）日: 2013-07-03
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 解子顏
• 申請（專利權(quán)）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L21/31
• 分類號: H01L21/31;H01L21/3105;H01L21/265
• 代理公司: 北京德恒律師事務(wù)所 11306
• 代理人: 陸鑫;房嶺梅

1.一種制造多個部件的方法，所述方法包括：

在硅層上方形成介電層；

蝕刻所述介電層和所述硅層，以在所述介電層和所述硅層中形成多個第一孔徑，其中，將所述多個第一孔徑的鄰近孔徑分開第一間距；

在所述介電層中蝕刻多個第二孔徑，所述多個第二孔徑中的每個孔徑都具有比所述多個第一孔徑中的相應(yīng)孔徑更大的寬度并且以所述多個第一孔徑中的相應(yīng)孔徑為中心；

將多個摻雜劑注入到通過所述介電層中的所述多個第二孔徑對準(zhǔn)的所述硅層中，其中，將所述硅層的摻雜部分分開小于所述第一間距的第二間距；以及

去除所述硅層的未摻雜部分。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，進(jìn)一步包括：

在所述介電層上方提供經(jīng)圖案化的光刻膠，所述經(jīng)圖案化的光刻膠具有分開所述第一間距的多個孔徑；

通過所述經(jīng)圖案化的光刻膠的所述多個孔徑蝕刻所述介電層和所述硅層，從而在所述介電層和所述硅層中形成所述多個第一孔徑；以及

去除所述經(jīng)圖案化的光刻膠。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，進(jìn)一步包括，在所述硅層下方提供氮化物層。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，進(jìn)一步包括：

在所述介電層中蝕刻多個第三孔徑，所述多個第三孔徑中的每個孔徑都具有比所述多個第二孔徑中的相應(yīng)孔徑更大的寬度，并且以所述多個第二孔徑中的相應(yīng)孔徑為中心；

通過所述介電層中的所述多個第三孔徑在所述硅層上方提供圖膜；

去除所述介電層以通過所述圖膜暴露出部分所述硅層；以及

通過所述圖膜注入暴露的所述硅層。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，進(jìn)一步包括：

通過灰化去除所述圖膜；以及

通過TMAH去除所述硅層的未摻雜部分，從而提供分開所述第二間距的所述硅層的摻雜部分。

6.一種制造多個部件的方法，所述方法包括：

在硅層上方提供介電層；

蝕刻所述介電層和所述硅層，以在所述介電層和所述硅層中形成多個第一孔徑，其中，將所述多個第一孔徑中的鄰近孔徑分開第一間距；

在所述介電層中蝕刻多個第二孔徑，所述多個第二孔徑中的每個孔徑都具有比所述多個第一孔徑中的相應(yīng)孔徑更大的寬度，并且以所述多個第一孔徑中的相應(yīng)孔徑為中心；

將第一多個摻雜劑注入到通過所述介電層中的所述多個第二孔徑對準(zhǔn)的所述硅層中；

在所述介電層中蝕刻多個第三孔徑，所述多個第三孔徑中的每個孔徑都具有比所述多個第二孔徑中的相應(yīng)孔徑更大的寬度，并且以所述多個第二孔徑中的相應(yīng)孔徑為中心；

通過所述介電層中的所述多個第三孔徑在所述硅層上方提供圖膜；

去除所述介電層以通過所述圖膜暴露出部分所述硅層；

通過所述圖膜將第二多個摻雜劑注入到暴露的所述硅層中，其中，將所述硅層的摻雜部分分開小于所述第一間距的第二間距；以及

去除所述硅層的未摻雜部分。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，進(jìn)一步包括：

在所述介電層上方提供經(jīng)圖案化的光刻膠，所述經(jīng)圖案化的光刻膠具有分開所述第一間距的多個孔徑；

通過所述經(jīng)圖案化的光刻膠的所述多個孔徑蝕刻所述介電層和所述硅層，從而在所述介電層和所述硅層中形成所述多個第一孔徑；以及

去除所述經(jīng)圖案化的光刻膠。

8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，進(jìn)一步包括，在所述硅層下方提供氮化物層。

9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，進(jìn)一步包括：

通過灰化去除所述圖膜；以及

通過TMAH去除所述硅層的未摻雜部分，從而提供分開所述第二間距的所述硅層的摻雜部分。

10.一種制造多個部件的方法，所述方法包括：

在硅層上方提供介電層；

蝕刻所述介電層和所述硅層，以在所述介電層和所述硅層中形成多個第一孔徑，其中，將所述多個第一孔徑中的鄰近孔徑分開第一間距；

在所述介電層中蝕刻多個第二孔徑，所述多個第二孔徑中的每個孔徑都具有比所述多個第一孔徑中的相應(yīng)孔徑更大的寬度，并且以所述多個第一孔徑中的相應(yīng)孔徑為中心；

將第一多個摻雜劑注入到通過所述介電層中的所述多個第二孔徑對準(zhǔn)的所述硅層中；

在所述介電層中蝕刻多個第三孔徑，所述多個第三孔徑中的每個孔徑都具有比所述多個第二孔徑中的相應(yīng)孔徑更大的寬度，并且以所述多個第二孔徑中的相應(yīng)孔徑為中心；

通過所述介電層中的所述多個第三孔徑在所述硅層上方提供圖膜；

去除所述介電層以通過所述圖膜暴露出部分所述硅層；

通過所述圖膜將第二多個摻雜劑注入到暴露的所述硅層中，其中，將所述硅層的摻雜部分分開第二間距，所述第二間距是所述第一間距的三分之一；

去除所述圖膜；以及

去除所述硅層的未摻雜部分。