[發明專利]背面入射型測距傳感器以及測距裝置有效
| 申請號: | 201210102539.9 | 申請日: | 2008-07-02 |
| 公開(公告)號: | CN102623473A | 公開(公告)日: | 2012-08-01 |
| 發明(設計)人: | 間瀬光人;鈴木高志;水野誠一郎;武村光隆 | 申請(專利權)人: | 浜松光子學株式會社 |
| 主分類號: | H01L27/146 | 分類號: | H01L27/146 |
| 代理公司: | 北京尚誠知識產權代理有限公司 11322 | 代理人: | 楊琦 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 背面 入射 測距 傳感器 以及 裝置 | ||
1.一種背面入射型測距傳感器,其特征在于,
具備:
具有光入射面和與所述光入射面相反的一側的表面的半導體基板;
設置于所述表面上的光電柵極;
在所述表面上與所述光電柵極鄰接地設置的第1和第2柵極;以及
用于分別讀取從所述光電柵極的正下方的區域流入所述第1和第2柵極的正下方的區域的載流子的第1和第2半導體區域。
2.如權利要求1所述的背面入射型測距傳感器,其特征在于,
所述半導體基板具有由多個像素構成的攝像區域,
所述各個像素具有:
所述光電柵極;
所述第1和第2柵極;和
所述第1和第2半導體區域。
3.如權利要求1所述的背面入射型測距傳感器,其特征在于,
所述第1和第2半導體區域的導電型與所述半導體基板的導電型不同,所述第1和第2半導體區域形成在阱區域內,所述阱區域的導電型是與所述半導體基板相同的導電型,所述第1和第2半導體區域具有比所述半導體基板的雜質濃度更高的雜質濃度。
4.一種測距裝置,其特征在于,
具備:
如權利要求1~3中任一項所述的背面入射型測距傳感器;
射出近紅外光的光源;
向所述光源賦予脈沖驅動信號的驅動電路;
向所述第1和第2柵極賦予與所述脈沖驅動信號同步的檢測用柵極信號的控制電路;以及
由從所述第1和第2半導體區域讀取的信號運算到對象物為止的距離的運算電路。
5.一種測距裝置,其特征在于,
將如權利要求1~3中任一項所述的背面入射型測距傳感器的所述表面固定于配線基板的貼裝面上,使所述光電柵極、所述第1柵極和所述第2柵極經由凸塊而連接于所述配線基板上的配線。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于浜松光子學株式會社,未經浜松光子學株式會社許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201210102539.9/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





