[發明專利]一種應用原子層沉積技術制備三氧化二鋁鈍化薄膜的方法有效
| 申請號: | 201210102536.5 | 申請日: | 2012-04-09 |
| 公開(公告)號: | CN102637585A | 公開(公告)日: | 2012-08-15 |
| 發明(設計)人: | 王啟元;克雷格·伯考;李春雷;趙星梅 | 申請(專利權)人: | 北京七星華創電子股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/205 | 分類號: | H01L21/205 |
| 代理公司: | 北京路浩知識產權代理有限公司 11002 | 代理人: | 王瑩 |
| 地址: | 100015 北京*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 應用 原子 沉積 技術 制備 氧化 鈍化 薄膜 方法 | ||
1.一種應用原子層沉積技術制備三氧化二鋁鈍化薄膜的方法,其特征在于,所述方法包括:
預熱步驟,將襯底承載器放入預熱腔室中,以熱空氣為介質對襯底進行預熱;
溫度穩定步驟,待襯底承載器達到預定溫度后,將襯底承載器轉移至沉積腔室,以熱惰性氣體為介質對襯底進行加熱;
沉積步驟,待沉積腔室溫度穩定后,通入反應氣體完成至少一個三氧化二鋁薄膜生長周期;
冷卻步驟,待完成三氧化二鋁薄膜的沉積后,取出襯底承載器進行冷卻。
2.如權利要求1所述的方法,其特征在于,
所述預熱步驟中,所述熱空氣溫度為250~400℃、流量為500~2000標準升/分鐘,將所述襯底承載器預熱到190~250℃。
3.如權利要求1或2所述的方法,其特征在于,所述預熱步驟中,預熱時間為4~10min,熱空氣在預熱腔室的熱空氣出口處的溫度為220~375℃。
4.如權利要求1所述的方法,其特征在于,所述溫度穩定步驟中,向沉積腔室中通入溫度為190~250℃的N2,流量為10-50標準升/分鐘,溫度穩定時間為4~8min。
5.如權利要求4所述的方法,其特征在于,所述溫度穩定步驟中,在3~5min時間內,使沉積腔室內的壓力達到1~20Torr。
6.如權利要求1所述的方法,其特征在于,所述沉積步驟中,沉積腔室內的溫度為180-240℃,通入N2的并保持流量為10~20標準升/分鐘,在沉積腔室壓力為1~20Torr時,通入三甲基鋁,洗氣;再通入H2O或O3,洗氣,在12-15分鐘內生成大約20nm厚度的三氧化二鋁鈍化薄膜。
7.如權利要求6所述的方法,其特征在于,三甲基鋁和H2O或O3的氣體流量總和保持不變,通過改變恒流氣路的流量來改變源氣路和恒流氣路的二者流量比例,源氣路的流量與N2的流量比值范圍為0.05~0.1。
8.如權利要求7所述的方法,其特征在于,三甲基鋁和H2O或O3的氣體流量總和保持不變,通過改變N2的流量來控制所述流量比值;或N2的流量保持不變,通過改變三甲基鋁和H2O或O3的氣體流量總和來控制所述流量比值。
9.如權利要求7或8所述的方法,其特征在于,三甲基鋁氣體的溫度范圍為10~25℃,H2O氣體的溫度范圍為5~25℃,O3的濃度范圍是200~300g/m3。
10.如權利要求1所述的方法,其特征在于,所述冷卻步驟中,向沉積腔室通入N2,待腔室內壓力達到常壓后,取出襯底承載器,放置于指定工位冷卻。
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H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
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H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





