[發(fā)明專利]一種時(shí)鐘信號(hào)傳輸裝置無(wú)效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201210102132.6 | 申請(qǐng)日: | 2012-04-09 |
| 公開(公告)號(hào): | CN103367355A | 公開(公告)日: | 2013-10-23 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 郭磊;李園 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 郭磊;李園 |
| 主分類號(hào): | H01L27/02 | 分類號(hào): | H01L27/02 |
| 代理公司: | 北京清亦華知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11201 | 代理人: | 張大威 |
| 地址: | 100084 北京市*** | 國(guó)省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 時(shí)鐘 信號(hào) 傳輸 裝置 | ||
1.一種時(shí)鐘信號(hào)傳輸裝置,其特征在于,包括:
電路芯片,其中,所述電路芯片具有至少一個(gè)光電轉(zhuǎn)換器;
發(fā)光器件,所述發(fā)光器件用于發(fā)出具有調(diào)制的時(shí)鐘信號(hào)的光信號(hào);
調(diào)制器,所述用于根據(jù)所述時(shí)鐘信號(hào)對(duì)所述發(fā)光器件進(jìn)行調(diào)制,以產(chǎn)生對(duì)應(yīng)的光信號(hào);以及
導(dǎo)光板,所述導(dǎo)光板與所述電路芯片接觸,且所述導(dǎo)光板的進(jìn)光面與所述發(fā)光器件接觸,所述導(dǎo)光板用于將所述光信號(hào)導(dǎo)向至所述電路芯片中的至少一個(gè)光電轉(zhuǎn)換器,以使所述至少一個(gè)光電轉(zhuǎn)換器根據(jù)所述光信號(hào)生成相應(yīng)的時(shí)鐘信號(hào)。
2.如權(quán)利要求1所述的時(shí)鐘信號(hào)傳輸裝置,其特征在于,所述發(fā)光器件為發(fā)光二極管(LED)、諧振發(fā)光二極管(RC_LED)、激光二極管(LD)、有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)或量子點(diǎn)發(fā)光器件,所述發(fā)光器件用于發(fā)出調(diào)制后的光信號(hào)。
3.如權(quán)利要求1所述的時(shí)鐘信號(hào)傳輸裝置,其特征在于,所述光電轉(zhuǎn)換器為Si、SiGe、Ge或III-V族半導(dǎo)體材料的光電探測(cè)器。
4.如權(quán)利要求1所述的時(shí)鐘信號(hào)傳輸裝置,其特征在于,所述調(diào)制器集成在所述電路芯片或所述發(fā)光器件上。
5.如權(quán)利要求1所述的時(shí)鐘信號(hào)傳輸裝置,其特征在于,還包括:時(shí)鐘產(chǎn)生模塊,所述時(shí)鐘產(chǎn)生模塊集成在所述電路芯片上或者為片外獨(dú)立芯片。
6.如權(quán)利要求1所述的時(shí)鐘信號(hào)傳輸裝置,其特征在于,所述電路芯片與所述發(fā)光器件通過(guò)封裝的方式集成在一起。
7.如權(quán)利要求1所述的時(shí)鐘信號(hào)傳輸裝置,其特征在于,所述發(fā)光器件通過(guò)外延生長(zhǎng)方式形成在所述電路芯片的襯底上。
8.如權(quán)利要求7所述的時(shí)鐘信號(hào)傳輸裝置,其特征在于,所述發(fā)光器件為片上異質(zhì)集成的III-V族或II-VI族材料發(fā)光器件。
9.如權(quán)利要求1所述的時(shí)鐘信號(hào)傳輸裝置,其特征在于,當(dāng)所述電路芯片面積較小時(shí),可以無(wú)需所述導(dǎo)光板,直接連接所述電路芯片到所述發(fā)光器件上。
10.如權(quán)利要求1所述的時(shí)鐘信號(hào)傳輸裝置,其特征在于,所述光信號(hào)為不同顏色光形成的復(fù)合光信號(hào)。
11.如權(quán)利要求1所述的時(shí)鐘信號(hào)傳輸裝置,其特征在于,還包括:
至少一個(gè)解調(diào)器,每個(gè)解調(diào)器與一個(gè)所述光電轉(zhuǎn)換器對(duì)應(yīng),用于對(duì)所述電信號(hào)進(jìn)行解調(diào)以生成對(duì)應(yīng)的時(shí)鐘信號(hào)。
12.如權(quán)利要求1所述的時(shí)鐘信號(hào)傳輸裝置,其特征在于,所述導(dǎo)光板包括:
導(dǎo)光層,所述導(dǎo)光層分別與所述電路芯片和發(fā)光器件相接觸;以及
反光層,所述反光層位于所述導(dǎo)光層與所述電路芯片和所述發(fā)光器件的非接觸面。
13.如權(quán)利要求1所述的時(shí)鐘信號(hào)傳輸裝置,其特征在于,當(dāng)所述光信號(hào)為不被Si材料吸收的遠(yuǎn)紅外光時(shí),利用所述電路芯片的Si襯底材料作為所述導(dǎo)光板。
14.如權(quán)利要求1所述的時(shí)鐘信號(hào)傳輸裝置,其特征在于,所述電路芯片內(nèi),所述光電轉(zhuǎn)換器與所述導(dǎo)光板之間填充有透明介質(zhì),所述光電轉(zhuǎn)換器以外的位置與所述導(dǎo)光板之間具有遮光結(jié)構(gòu)。
15.如權(quán)利要求1所述的時(shí)鐘信號(hào)傳輸裝置,其特征在于,所述每個(gè)光電轉(zhuǎn)換器與所述導(dǎo)光板之間具有光子晶體結(jié)構(gòu),以通過(guò)所述光子晶體結(jié)構(gòu)以實(shí)現(xiàn)不同波長(zhǎng)光的選擇性通過(guò)或截止。
16.如權(quán)利要求1所述的時(shí)鐘信號(hào)傳輸裝置,其特征在于,在垂直方向上包括多層堆疊的所述電路芯片,每相鄰的所述電路芯片之間包括導(dǎo)光層。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無(wú)源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的;包括至少有一個(gè)躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的無(wú)源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過(guò)這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的;包括有熱磁組件的
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