[發明專利]一種TFT陣列基板像素點修復制造方法

無效

• 申請號: 201210101988.1
• 申請日: 2012-04-10
• 公開（公告）號: CN102623401A
• 公開（公告）日: 2012-08-01
• 發明（設計）人: 陳龍龍;李喜峰;張建華
• 申請（專利權）人: 上海大學
• 主分類號: H01L21/77
• 分類號: H01L21/77
• 代理公司: 上海上大專利事務所(普通合伙) 31205
• 代理人: 何文欣

1.一種TFT陣列基板像素點修復制造方法，其特征在于，TFT陣列基板像素點修復分為兩個步驟：①首先是轉移用TFT點像素制造及準備工藝制備TFT點像素(20)，②其次是對TFT陣列基板TFT缺陷點進行修復。

2.根據權利要求書1所述的一種TFT陣列基板像素點修復制造方法，其特征在于：所述步驟①中轉移用的TFT點像素制造及準備工藝，其工藝步驟如下：1）在潔凈的單晶硅晶圓(10)上熱生長一層氧化硅層(11)，作為TFT有源矩陣轉移的犧牲層；2）在氧化硅層(11)上涂布一層抗蝕層(12)，并在其上生長一層柵極金屬層(13)；3）對柵極金屬層(13)作圖形化處理，制作出TFT有源矩陣的柵金屬電極圖形；4）在TFT有源矩陣的柵金屬電極之上生長絕緣層(14)、有源層(15)，并將有源層(15)圖形化處理得到硅島；5）濺射TFT有源矩陣的源漏電極層(16)，并作圖形化處理，得到源漏金屬電極圖形；6）生長氮化硅保護層(17)；7）圖形化處理，將氮化硅(17)刻蝕后將需電接觸處的柵金屬電極、源漏金屬電極暴露出來；8）生長ITO像素電極層(18)，圖形化處理得到像素電極圖形；9）再次涂布抗蝕層(19)；10）利用微機械加工工藝刻蝕掉氧化硅層(11)，將TFT陣列從單晶硅晶圓(10)上剝離下來；11）將剝離下來的TFT陣列基板(40)放置于抗蝕層剝離液中，去除掉抗蝕層(12)與抗蝕層(19)；12）利用激光切割方法，將制作好的TFT陣列基板(40)切割成TFT點像素(20)，供后續轉移工藝使用。

3.根據權利要求書2所述的一種TFT陣列基板像素點修復制造方法，其特征在于：所述步驟②中對TFT陣列基板TFT缺陷點進行修復的工藝，其工藝步驟如下：1）精確定位TFT陣列基板(40)存在缺陷點的位置，并利用激光切割等方法將TFT缺陷點(30)切割下來，并將其轉移到TFT陣列基板(40)之外；2）將制備好的TFT點像素(20)精確轉移至原TFT缺陷點(30)位置處并固定；3）TFT陣列基板(40)上有多個TFT缺陷點(30)存在時，重復前述1）、2）步驟，直至所有TFT缺陷點(30)全部替換；4）將此TFT陣列基板(40)置于一定氣體環境氛圍(50)的腔體中，利用采用電氣層自組裝方式使轉移來的TFT點像素(20)與原TFT陣列基板(40)各層膜層形成電氣連接，TFT陣列基板修復完成。