[發明專利]顯露穿硅通孔的方法

無效

• 申請號: 201210101810.7
• 申請日: 2012-04-09
• 公開（公告）號: CN103367239A
• 公開（公告）日: 2013-10-23
• 發明（設計）人: 陳逸男;徐文吉;葉紹文;劉獻文
• 申請（專利權）人: 南亞科技股份有限公司
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768
• 代理公司: 深圳新創友知識產權代理有限公司 44223
• 代理人: 江耀純

1.一種顯露穿硅通孔的方法，其特征在于，包括：

提供半導體基板，包括第一面及第二面；

在所述半導體基板的第一面形成穿硅通孔結構，包括金屬層、阻障層及絕緣層；

去除掉部分厚度的半導體基板，從第二面顯露出穿硅通孔結構；

在所述半導體基板的第二面上沈積氮化硅層及氧化硅層；

進行化學機械拋光工藝，將氧化硅層、部分的氮化硅層、絕緣層及阻障層磨平去除，顯露出金屬層，其中顯露出金屬層的表面與氧化硅層的表面是齊平的；

將部分厚度的氧化硅層蝕刻掉，使半導體基板的第二面上的金屬層突出在氧化硅層的表面；

在所述半導體基板的第二面上進行凸塊下金屬化層的制作；以及

在凸塊下金屬化層上形成金屬凸塊。

2.根據權利要求1所述的顯露穿硅通孔的方法，其特征在于：所述絕緣層為利用亞常壓熱化學氣相沉積形成的TEOS硅氧層。

3.根據權利要求1所述的顯露穿硅通孔的方法，其特征在于：所述阻障層為厚度約600埃的鉭金屬。

4.根據權利要求1所述的顯露穿硅通孔的方法，其特征在于：所述金屬層為銅金屬層。