[發明專利]MOS電容器的制作方法以及MOS電容器

有效

• 申請號: 201210101757.0
• 申請日: 2012-04-09
• 公開（公告）號: CN103367141A
• 公開（公告）日: 2013-10-23
• 發明（設計）人: 張子瑩
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: H01L21/334
• 分類號: H01L21/334;H01L29/94
• 代理公司: 北京市磐華律師事務所 11336
• 代理人: 董巍;顧珊

1.一種MOS電容器的制作方法，其特征在于，包括：

提供襯底，所述襯底包含多個區域；

在多個所述區域內分別摻雜不同濃度和/或種類的親氧性摻雜劑；

在多個所述區域上形成氧化物層；以及

在所述氧化物層上依次形成金屬層和接觸蓋帽。

2.根據權利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述親氧性摻雜劑包括磷或砷。

3.根據權利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述摻雜所采用的工藝為離子注入工藝。

4.根據權利要求3所述的制作方法，其特征在于，所述離子注入工藝的注入劑量大于零且小于等于2×10¹⁵/cm²。

5.根據權利要求3所述的制作方法，其特征在于，所述離子注入工藝的注入時間為10-100秒。

6.根據權利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述氧化物層的厚度為10-30埃。

7.根據權利要求1所述的制作方法，其特征在于，形成所述氧化物的方法為快速熱氧化法。

8.根據權利要求7所述的制作方法，其特征在于，所述快速熱氧化法的反應溫度為600-1200攝氏度。

9.根據權利要求7所述的制作方法，其特征在于，所述快速熱氧化法的反應時間為5-60秒。

10.一種MOS電容器，其特征在于，所述MOS電容器是采用如權利要求1-9中任意一項所述的制作方法形成的。