[發明專利]用于形成外延層的工藝

無效

• 申請號: 201210101667.1
• 申請日: 2012-04-01
• 公開（公告）號: CN102738004A
• 公開（公告）日: 2012-10-17
• 發明（設計）人: D·迪塔特;Y·康皮德利;D·佩利謝爾-塔農;N·盧貝
• 申請（專利權）人: 意法半導體(克洛爾2)公司;意法半導體有限公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L21/20
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所 11256
• 代理人: 王茂華;邊海梅

1.一種工藝，包括：

(a)在單晶半導體結構(S，D)和在多晶半導體結構(G)上外延地生長半導體材料層；

(b)刻蝕所述外延層以便在所述單晶結構(S，D)上保留非零厚度的所述材料而在所述多晶結構(G)上保留零厚度；以及

(c)利用相同的材料或利用不同的材料、分別從之前的步驟(b)獲得的所述單晶結構(S，D)和所述多晶結構(G)將步驟(a)重復至少一次，以及將步驟(b)重復至少一次，直至在所述單晶結構(S，D)上的外延層的層疊已達到期望厚度(EE)。

2.根據權利要求1所述的工藝，還包括在初始單晶結構和初始多晶結構上初始外延生長初始半導體材料，以便獲得所述單晶結構(S，D)和所述多晶結構(G)，在低于步驟(a)的外延生長溫度的溫度下執行所述初始外延生長。

3.根據權利要求2所述的工藝，還包括：在所述初始外延生長之后的初始刻蝕，以便在所述初始單晶結構上保留非零厚度的所述材料而在所述初始多晶結構上保留零厚度，所述初始刻蝕在低于步驟(b)的刻蝕溫度的溫度下執行。

4.根據前述權利要求中任一項所述的工藝，包括在最后的步驟(b)之后獲得的所述單晶結構(S，D)和多晶結構(G)上外延地生長半導體材料的最終步驟。

5.根據前述權利要求中任一項所述的工藝，其中步驟(a)和(b)在同一外延反應器中在恒定溫度下執行。

6.根據前述權利要求中任一項所述的工藝，其中步驟(a)和(b在同一外延反應器中在恒定壓強下執行。

7.根據前述權利要求中任一項所述的工藝，其中在步驟(a)中，所述半導體材料的組成在該步驟的重復中的至少兩個重復中不同。

8.根據前述權利要求中任一項所述的工藝，其中所述半導體材料選自包括以下各項的組：硅、鍺、鍺硅合金、碳硅合金和碳鍺硅合金。

9.根據前述權利要求中任一項所述的工藝，其中所述單晶結構(S，D)包括晶體管(TR)的源極區和漏極區而所述多晶結構(G)包括晶體管的柵極區。

10.根據權利要求9所述的工藝，其中所述晶體管(TR)是全耗盡型晶體管。