[發明專利]一種低K介質層及其形成方法有效
| 申請號： | 201210101641.7 | 申請日： | 2012-03-31 |
| 公開（公告）號： | CN103367238A | 公開（公告）日： | 2013-10-23 |
| 發明（設計）人： | 周鳴 | 申請（專利權）人： | 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/768 | 分類號： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李時云 |
| 地址： | 201203 *** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 介質 及其 形成 方法 | ||
1.一種低K介質層形成方法，其特征在于，包括：
提供經過干法刻蝕的低K介質材料層；
對所述低K介質材料層進行處理，以得到疏水性的低K介質層。
2.如權利要求1所述的低K介質層形成方法，其特征在于，對所述低K介質材料層進行處理包括：
利用甲醇對所述低K介質材料層進行化學處理。
3.如權利要求2所述的低K介質層形成方法，其特征在于，所述甲醇為超臨界甲醇。
4.如權利要求2所述的低K介質層形成方法，其特征在于，利用甲醇對所述低K介質材料層進行化學處理的工藝條件為：溫度240℃～350℃；壓強8Mpa～20MPa。
5.如權利要求2所述的低K介質層形成方法，其特征在于，對所述低K介質材料層進行處理還包括：
利用紅外線對經過甲醇處理的低K介質材料層進行照射。
6.如權利要求5所述的低K介質層形成方法，其特征在于，所述紅外線的波長為700nm～14000nm。
7.如權利要求1至6中的任一項所述的低K介質層形成方法，其特征在于，所述干法刻蝕的反應氣體包括：CO、H2、N2H2中的一種或多種。
8.如權利要求1至6中的任一項所述的低K介質層形成方法，其特征在于，所述低K介質材料層的材料包括：有機聚合物、無定形氯化碳、超小型泡沫塑料、包含有機聚合物的硅基絕緣體、摻雜了碳的硅氧化物和摻雜了氯的硅氧化物中的一種或多種。
9.如權利要求1至6中的任一項所述的低K介質層形成方法，其特征在于，所述低K介質層的K值小于2.7。
10.一種低K介質層，其特征在于，通過如權利要求1至9中的任一項所述的低K介質層形成方法所形成。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
