[發明專利]上部電極板以及基板處理裝置有效
| 申請號: | 201210101424.8 | 申請日: | 2012-03-31 |
| 公開(公告)號: | CN102738041A | 公開(公告)日: | 2012-10-17 |
| 發明(設計)人: | 小林義之 | 申請(專利權)人: | 東京毅力科創株式會社 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67;H01J37/32 |
| 代理公司: | 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 劉新宇 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 上部 極板 以及 處理 裝置 | ||
1.一種上部電極板,具有溫度調整機構的電極支承體懸吊支承該上部電極板,該上部電極板的特征在于,
該上部電極板經由冷卻板抵接于上述電極支承體,在與該冷卻板相抵接的抵接面上形成傳熱薄片。
2.根據權利要求1所述的上部電極板,其特征在于,
在上述上部電極板中設置多個氣孔,以避開上述氣孔的附近的規定區域的方式形成上述傳熱薄片。
3.根據權利要求2所述的上部電極板,其特征在于,
以避開將上述氣孔的中心作為中心且半徑為1.5mm至2.5mm的圓形區域的方式來形成上述傳熱薄片。
4.根據權利要求1至3中的任一項所述的上部電極板,其特征在于,
上述傳熱薄片的膜厚為100μm以下。
5.根據權利要求4所述的上部電極板,其特征在于,
上述傳熱薄片的膜厚為30μm至80μm。
6.根據權利要求4或5所述的上部電極板,其特征在于,
上述上部電極板隔著處理空間與基板載置臺相向地配置,在與上述基板載置臺的中心部相向的位置處和與上述基板載置臺的周邊部相向的位置處,上述傳熱薄片的膜厚不同。
7.根據權利要求1至6中的任一項所述的上部電極板,其特征在于,
對上述冷卻板的與上述傳熱薄片相抵接的抵接面涂布脫模劑。
8.根據權利要求1至7中的任一項所述的上部電極板,其特征在于,
在上述電極支承體與上述冷卻板的抵接面上存在上述傳熱薄片。
9.根據權利要求1至8中的任一項所述的上部電極板,其特征在于,
上述傳熱薄片的熱導率是0.5W/m·k~2.0W/m·k。
10.一種基板處理裝置,具有上部電極板和隔著處理空間與該上部電極板相向地配置的基板載置臺,對載置在該基板載置臺上的基板實施規定的處理,該基板處理裝置的特征在于,
上述上部電極板是權利要求1至9中的任一項所述的上部電極板。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于東京毅力科創株式會社,未經東京毅力科創株式會社許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201210101424.8/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:金屬表面處理劑及金屬表面處理方法
- 下一篇:一種信息提醒方法、裝置和移動終端
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





