[發明專利]具有控制電極的穿硅通孔與其制作方法

有效

• 申請號: 201210101419.7
• 申請日: 2012-03-31
• 公開（公告）號: CN103367309A
• 公開（公告）日: 2013-10-23
• 發明（設計）人: 陳逸男;徐文吉;葉紹文;劉獻文
• 申請（專利權）人: 南亞科技股份有限公司
• 主分類號: H01L23/522
• 分類號: H01L23/522;H01L21/768
• 代理公司: 深圳新創友知識產權代理有限公司 44223
• 代理人: 江耀純

1.一種具有控制電路的穿硅通孔，其特征在于，包含：

基底；

導電電極，其貫穿所述基底；

垂直晶體管，包含：

一源極、一通道以及一漏極設置于所述導電電極上，通道設置于所述源極與所述漏極之間；

一柵極設置于所述基底中，并包圍所述通道；以及

一柵極介電層設置于所述通道與所述柵極之間；以及

導電層，設置于所述垂直晶體管的所述漏極上。

2.根據權利要求1的具有控制電路的穿硅通孔，其特征在于還包含一柵極接觸，設置在所述基底中的所述柵極上。

3.根據權利要求1的具有控制電路的穿硅通孔，其特征在于所述柵極包含摻雜區。

4.根據權利要求1的具有控制電路的穿硅通孔，其特征在于所述源極與所述漏極包含摻雜多晶硅。

5.一種形成具有控制電路的穿硅通孔的方法，其特征在于包括：

提供一基底；

在所述基底上形成導電電極以及絕緣層，其中所述絕緣層包圍所述導電電極；

移除部份的所述導電電極以形成一凹槽；

在所述凹槽中形成一多晶硅層以及一導電層；以及

在多晶硅層的中間部位，以及相鄰于多晶硅層的所述中間部位的所述基底中形成一摻雜區。

6.根據權利要求5的形成具有控制電路的穿硅通孔的方法，其特征在于所述凹槽的底部低于所述基底。

7.根據權利要求5的形成具有控制電路的穿硅通孔的方法，其特征在于所述多晶硅層的高度高于所述基底。

8.根據權利要求5的形成具有控制電路的穿硅通孔的方法，其特征在于所述多晶硅層的高度高于所述基底。

9.根據權利要求5的形成具有控制電路的穿硅通孔的方法，其特征在于所述摻雜多晶硅層包含P導電型摻質。

10.根據權利要求5的形成具有控制電路的穿硅通孔的方法，其特征在于所述摻雜區包含N導電型摻質。