[發(fā)明專利]用于制造具有彎曲特征的薄膜的方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201210101394.0
• 申請(qǐng)日: 2012-03-31
• 公開（公告）號(hào): CN102730633A
• 公開（公告）日: 2012-10-17
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 格雷戈里·德布拉班德爾;馬克·內(nèi)波穆尼西
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 富士膠片株式會(huì)社
• 主分類號(hào): B81C3/00
• 分類號(hào): B81C3/00
• 代理公司: 北京天昊聯(lián)合知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11112
• 代理人: 陳源;張?zhí)焓?/td>

1.一種用于制造具有彎曲特征的薄膜的方法，包括：

將第一襯底的第一表面真空接合至第一薄膜層的第一表面，第一襯底的第一表面中形成有多個(gè)空穴，第一薄膜層為第二襯底的暴露層，第一薄膜層的第二表面附著至第二襯底的處理層，以及第一薄膜層的第一表面對(duì)多個(gè)空穴進(jìn)行密封，以在真空接合完成時(shí)形成多個(gè)真空腔；

移除第二襯底的處理層，以暴露第一薄膜層的第二表面；

將第一薄膜層的第二表面暴露至流體壓力，以使得第一薄膜層在多個(gè)空穴上方的區(qū)域中彎曲，并且在各個(gè)接觸位置處與多個(gè)空穴的各個(gè)底表面接觸；以及

對(duì)第一薄膜層和第一襯底進(jìn)行退火處理，以在各個(gè)接觸位置處形成第一薄膜層與第一襯底之間的永久接合。

2.如權(quán)利要求1所述的方法，還包括：在第一薄膜層的第二表面上沉積第二薄膜層，以使得第二薄膜層與第一薄膜層的第二表面一致，并且在多個(gè)空穴之上的區(qū)域中包括的多個(gè)彎曲部分。

3.如權(quán)利要求2所述的方法，其中：

第二薄膜層包括多個(gè)子層，并且

沉積第二薄膜層包括在第一薄膜層的第二表面上順序沉積多個(gè)子層中的每一個(gè)。

4.如權(quán)利要求3所述的方法，其中所述子層至少包括一個(gè)參考電極層、一個(gè)濺鍍壓電層、和一個(gè)驅(qū)動(dòng)電極層。

5.如權(quán)利要求2所述的方法，其中沉積在退火處理之后執(zhí)行。

6.如權(quán)利要求2所述的方法，還包括：

在沉積了第二薄膜層之后，移除多個(gè)空穴的底表面，以打開多個(gè)真空腔，并且暴露多個(gè)空穴的各側(cè)壁內(nèi)區(qū)域中的第一薄膜層的第一表面。

7.如權(quán)利要求6所述的方法，其中移除多個(gè)空穴的底表面還包括：

至少蝕刻多個(gè)空穴的各側(cè)壁內(nèi)區(qū)域中的第一襯底的第二表面，以使得多個(gè)真空腔被打開，并且使得第一薄膜層的第一表面暴露在多個(gè)空穴的各側(cè)壁內(nèi)的區(qū)域中，其中第一薄膜層的暴露的第一表面用作蝕刻的蝕刻停止層。

8.如權(quán)利要求6所述的方法，還包括：

移除多個(gè)空穴的側(cè)壁內(nèi)區(qū)域中的第一薄膜層，以暴露第二薄膜層的彎曲部分，同時(shí)在移除第一薄膜層期間和移除第一薄膜層之后，第二薄膜層的彎曲部分保留彎曲。

9.如權(quán)利要求8所述的方法，其中移除多個(gè)空穴的各側(cè)壁內(nèi)區(qū)域中的第一薄膜層還包括：

蝕刻多個(gè)空穴的各側(cè)壁內(nèi)區(qū)域中的第一薄膜層，以暴露第二薄膜層的彎曲部分，其中第二薄膜層的暴露的彎曲部分用作蝕刻停止層，而第一襯底用作蝕刻掩模。

10.如權(quán)利要求1所述的方法，還包括：

通過圖案化的光致抗蝕劑層來(lái)選擇性地蝕刻第一襯底的第一表面以形成多個(gè)空穴，圖案化的光致抗蝕劑層分別限定了多個(gè)空穴的橫向尺寸和位置；以及

在多個(gè)空穴達(dá)到預(yù)定深度之后，從第一襯底的第一表面移除圖案化的光致抗蝕劑層。

11.如權(quán)利要求10所述的方法，其中選擇性蝕刻為干法蝕刻。

12.如權(quán)利要求10所述的方法，其中多個(gè)空穴的各個(gè)底表面足夠光滑從而能夠與另一襯底接合。

13.如權(quán)利要求1所述的方法，其中將第一襯底的第一表面真空接合至第一薄膜層的第一表面還包括：

在硅襯底上形成氧化物或氮化物層；以及

在真空環(huán)境中將氧化物或氮化物層的暴露表面接合至第一襯底的第一表面。

14.如權(quán)利要求1所述的方法，還包括：

在第一襯底的第一表面中形成多個(gè)空穴。

15.如權(quán)利要求1所述的方法，其中將第一薄膜層的第二表面暴露至流體壓力包括：

將第一薄膜層的第二表面暴露至大氣壓力。

16.如權(quán)利要求1所述的方法，其中多個(gè)空穴具有5-15微米的深度。

17.如權(quán)利要求1所述的方法，其中多個(gè)空穴分別具有150-200微米的橫向尺寸。

18.如權(quán)利要求1所述的方法，其中第一薄膜層具有1-2微米的厚度。