[發(fā)明專利]掩膜板的光學(xué)鄰近校正方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201210101392.1 | 申請日： | 2012-04-09 |
| 公開（公告）號： | CN103365071A | 公開（公告）日： | 2013-10-23 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 王輝 | 申請（專利權(quán)）人： | 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司 |
| 主分類號： | G03F1/36 | 分類號： | G03F1/36 |
| 代理公司： | 北京德琦知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11018 | 代理人： | 牛崢;王麗琴 |
| 地址： | 201203 *** | 國省代碼： | 上海;31 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 掩膜板 光學(xué) 鄰近 校正 方法 | ||
1.一種掩膜板的光學(xué)鄰近校正方法，包括：
將集成電路設(shè)計(jì)圖案分解成若干特征圖案和若干非特征圖案；
將每一個(gè)所述特征圖案采用其所對應(yīng)的特征模型進(jìn)行基于二維模型的光學(xué)鄰近校正；
將每一個(gè)所述非特征圖案采用整體模型進(jìn)行基于二維模型的光學(xué)鄰近校正；
將經(jīng)過光學(xué)鄰近校正后的所有特征圖案和所有非特征圖案組合成掩膜板圖案。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的三維掩膜板的光學(xué)鄰近校正方法，其特征在于：所述特征模型通過使用特征圖案樣品，利用光學(xué)鄰近校正OPC建模工具進(jìn)行模擬獲得。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的三維掩膜板的光學(xué)鄰近校正方法，其特征在于：所述特征圖案樣品與所述特征圖案相同或者相近似。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的三維掩膜板的光學(xué)鄰近校正方法，其特征在于：所述整體模型通過使用所述集成電路設(shè)計(jì)圖案，利用OPC建模工具進(jìn)行模擬獲得。
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G03F 圖紋面的照相制版工藝，例如，印刷工藝、半導(dǎo)體器件的加工工藝；其所用材料；其所用原版；其所用專用設(shè)備
G03F1-00 用于圖紋面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其專門適用于此的容器；其制備
G03F1-20 .用于通過帶電粒子束(CPB)輻照成像的掩膜或空白掩膜，例如通過電子束；其制備
G03F1-22 .用于通過100nm或更短波長輻照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射線掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制備
G03F1-36 .具有臨近校正特征的掩膜；其制備，例如光學(xué)臨近校正(OPC)設(shè)計(jì)工藝
G03F1-38 .具有輔助特征的掩膜，例如用于校準(zhǔn)或測試的特殊涂層或標(biāo)記；其制備
