[發(fā)明專利]可視區(qū)無金屬線的電容式觸摸屏玻璃蓋板的制作方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210101369.2
• 申請日: 2012-04-09
• 公開（公告）號: CN102662547A
• 公開（公告）日: 2012-09-12
• 發(fā)明（設計）人: 沈勵;陳奇;石富銀;許沐華;吳克堅
• 申請（專利權(quán)）人: 天津美泰真空技術(shù)有限公司
• 主分類號: G06F3/044
• 分類號: G06F3/044
• 代理公司: 天津市北洋有限責任專利代理事務所 12201
• 代理人: 張金亭

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種觸摸屏玻璃蓋板的制作方法，特別是涉及一種在可視區(qū)無金屬線顯現(xiàn)的電容式觸摸屏玻璃蓋板的制作方法。

背景技術(shù)

目前市場上主流的以玻璃基材為主的投射式電容觸摸屏面板的構(gòu)成多采用將觸控玻璃(Touch?Sensor)與蓋板玻璃(Cover?Glass)貼合在一起的產(chǎn)品。這種設計的主要問題是工藝復雜，成本高，組件厚度太厚，重量太重，貼合良率低。已經(jīng)越來越不適應電子數(shù)碼產(chǎn)品更輕更薄更廉的發(fā)展方向。另外由于采用的是兩片玻璃的貼合，整個電容式觸摸屏組件的透光性較差，無法滿足高清液晶顯示屏的要求，在戶外使用效果更差。各個觸控玻璃(Touch?sensor)的制造商紛紛推出一片觸控蓋板玻璃的方案，將傳統(tǒng)的觸控玻璃和蓋板玻璃貼合在一起的觸摸屏變成一片觸控蓋板玻璃的觸摸屏。而由于是一片玻璃的觸控方案，其觸控的表面是在觸控蓋板玻璃的內(nèi)表面，按照單面觸控玻璃的方案，中間會有規(guī)則的金屬線，寬度5-20微米，長度50-300微米不等，雖然不影響外觀，但是大多數(shù)消費者都很難接受極易看到這些可視區(qū)的金屬線。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明為解決公知技術(shù)中存在的技術(shù)問題而提供一種在可視區(qū)無金屬線的電容式觸摸屏玻璃蓋板的制作方法。

本發(fā)明為解決公知技術(shù)中存在的技術(shù)問題所采取的技術(shù)方案是：一種可視區(qū)無金屬線的電容式觸摸屏玻璃蓋板的制作方法，包括以下步驟：

一)采用鋼化浮法玻璃作為基板，在基板的任一表面上按照X行電極單元連接導線的布線圖，利用光刻的方法形成遮擋X行電極單元連接導線的著色圖形；

二)采用真空鍍膜的方法在基板上形成SiO2膜，SiO2膜覆蓋在著色圖形上；

三)采用真空鍍膜的方法在SiO2膜上形成ITO膜；

四)采用光刻的方法刻蝕ITO膜，形成多個分離的Y列電極，Y列電極的兩側(cè)均為與其分離的X行電極單元，X行電極單元左右成行，前后成列；

五)在相鄰的兩列X行電極單元之間利用光罩涂布一層有機絕緣材料層，使X行電極與Y列電極絕緣；

六)采用真空鍍的方法形成金屬導電膜，覆蓋在有機著色絕緣材料層上；

七)用光刻方法刻蝕金屬導電膜，形成X行電極單元連接導線，X行電極單元連接導線將一行X行電極單元連成一X行電極；

八)在X行電極和Y列電極上涂布一層有機透明絕緣材料層。

所述步驟一)中的著色圖形是黑色的。

所述步驟二)中的SiO2膜的厚度為10nm-100nm。

所述步驟四)中的ITO膜的表面電阻為300～500Ω/□。

所述步驟五)中的有機絕緣材料層是有機著色絕緣材料層。

所述有機絕緣材料層的厚度為5-20微米。

所述步驟六)中的金屬導電膜為鉬鋁鉬膜。

本發(fā)明具有的優(yōu)點和積極效果是：通過采用著色圖形遮擋X行電極單元連接導線的方法，使可視區(qū)沒有金屬線顯現(xiàn)，提高了可視區(qū)的可視質(zhì)量；同時，該蓋板采用一片玻璃的結(jié)構(gòu)，不僅解決了兩片玻璃造成的工藝復雜，結(jié)構(gòu)復雜的問題，也降低了投射光的反射率，從而使顯示更清晰；并且本發(fā)明能夠降低生產(chǎn)成本，提高生產(chǎn)效率，使電容式觸摸屏組件向更輕薄更易于攜帶方面發(fā)展。

附圖說明

圖1為應用本發(fā)明制成的蓋板的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為實施本發(fā)明步驟四)的俯視圖。

圖中：1、基板，2、著色圖形，3、SiO2膜，41、Y列電極，42、X行電極單元，5、有機著色絕緣材料層，6、X行電極單元連接導線。

具體實施方式

為能進一步了解本發(fā)明的發(fā)明內(nèi)容、特點及功效，茲例舉以下實施例，并配合附圖詳細說明如下：

請參閱圖1，一種可視區(qū)無金屬線的電容式觸摸屏玻璃蓋板的制作方法，包括以下步驟：

一)采用鋼化浮法玻璃作為基板1，在基板1的任一表面上按照X行電極單元連接導線6的布線圖，利用光刻的方法形成遮擋X行電極單元連接導線的著色圖形2，該著色圖形2最好是黑色的，也可以是紅橙黃綠青藍紫中的任一顏色；

二)采用真空鍍膜的方法在基板1上形成SiO2膜3，SiO2膜3覆蓋在著色圖形2上，SiO2膜3的厚度為10nm-100nm；

三)采用真空鍍膜的方法在SiO2膜3上形成ITO膜；ITO膜的表面電阻為300～500Ω/□；

四)采用光刻的方法刻蝕ITO膜，形成多個分離的Y列電極41，Y列電極的兩側(cè)均為與其分離的X行電極單元42，X行電極單元42左右成行，前后成列，請參見圖2；