[發明專利]有機發光裝置無效
| 申請號: | 201210101357.X | 申請日: | 2012-04-05 |
| 公開(公告)號: | CN103367643A | 公開(公告)日: | 2013-10-23 |
| 發明(設計)人: | 張嘉雄;王文俊 | 申請(專利權)人: | 東莞萬士達液晶顯示器有限公司;勝華科技股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L51/50 | 分類號: | H01L51/50 |
| 代理公司: | 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205 | 代理人: | 臧建明 |
| 地址: | 523119 廣東省*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 有機 發光 裝置 | ||
技術領域
本發明是有關一種發光裝置,且特別是關一種有機發光裝置。
背景技術
有機發光裝置(Organic?light?emitting?device,OLED)因其自發光、無視角依存、省電、制程簡易、低成本、低溫度操作范圍、高應答速度以及全彩化等優點而具有極大的應用潛力,可望成為新世代平面顯示器的照明光源主流。
一般而言,有機發光裝置包括一第一基板、一配置在第一基板上的有機發光單元以及封裝有機發光單元的一第二基板,其中有機發光單元包括兩電極夾擠一發光層。普遍而言,發光層所發出的光在大角度下朝向基板(第一基板或第二基板)射出時,有因全反射(Total?Internal?Reflection,TIR)而局限于有機發光裝置內的問題,導致有機發光裝置的出光效率不高。
目前,已有技術針對有機發光裝置的出光效率進行改良。例如是通過在基板的表面形成微透鏡陣列(micro?lens?array)或是微結構,然而此種方法需額外對基板進行加工,且基板與微結構之間容易有貼附、對位不佳等問題,因此較不利于制作。另外,又例如是通過在基板與發光層之間配置一層光子晶體結構或是低折射系數的光柵,然而此種方法亦對有機發光單元的膜層的均勻性造成影響,使得局部電場過大而使得有機發光裝置的壽命降低。因此,如何在不影響有機發光裝置的壽命以及易于制作的前提下,提升有機發光裝置的出光效率實為目前研發人員急欲解決的議題之一。
發明內容
本發明提供一種有機發光裝置,其具有優良的出光效率。
本發明提供一種有機發光裝置,其包括一第一基板、一與第一基板平行配置的第二基板以及一配置在第一基板與第二基板之間的有機發光單元。第一基板具有多個第一導光微結構。第一導光微結構的分布密度介于100個/毫米至2000個/毫米之間,其中第一導光微結構位于第一基板內,且第一基板的材質包括光敏感材料。
在本發明的一實施例中,前述的光敏感材料包括稀有金屬、金、銀或上述組合物。
在本發明的一實施例中,前述的第一基板的折射率介于1.3至2.0之間。
在本發明的一實施例中,前述的第一導光微結構周期分布。
在本發明的一實施例中,前述周期分布的第一導光微結構的分布密度介于100個/毫米至600個/毫米之間。
在本發明的一實施例中,前述的第一導光微結構非周期分布。
在本發明的一實施例中,前述非周期分布的第一導光微結構的分布密度介于1000個/毫米至2000個/毫米之間。
在本發明的一實施例中,前述的第一導光微結構的形狀包括矩形、半圓形、三角形或階梯狀。
在本發明的一實施例中,前述的第二基板具有多個第二導光微結構,第二導光微結構的分布密度介于100個/毫米至2000個/毫米之間,其中第二導光微結構位于第二基板內,且第二基板的材質包括光敏感材料。
在本發明的一實施例中,前述的光敏感材料包括稀有金屬、金、銀或上述組合物。
在本發明的一實施例中,前述的第二基板的折射率介于1.3至2.0之間。
在本發明的一實施例中,前述的第二導光微結構周期分布。
在本發明的一實施例中,前述周期分布的第二導光微結構的分布密度介于100個/毫米至600個/毫米之間。
在本發明的一實施例中,前述的第二導光微結構非周期分布。
在本發明的一實施例中,前述非周期分布的第二導光微結構的分布密度介于1000個/毫米至2000個/毫米之間。
在本發明的一實施例中,前述的第二導光微結構的形狀包括矩形、半圓形、三角形或階梯狀。
在本發明的一實施例中,前述的有機發光單元包括一第一電極、一第二電極以及一發光層。第二電極與第一電極平行配置,而發光層配置在第一電極與第二電極之間,其中第一電極與第二電極至少一者為透明的電極。
在本發明的一實施例中,前述的有機發光單元為被動式有機發光單元。
在本發明的一實施例中,前述的有機發光單元為主動式有機發光單元。
在本發明的一實施例中,前述的有機發光裝置還包括用以驅動有機發光單元的一主動元件。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機材料作有源部分或使用有機材料與其他材料的組合作有源部分的固態器件;專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的;具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射;專門適用于將這些輻射能轉換為電能,或者適用于通過這樣的輻射進行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發射的,如有機發光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇





