[發明專利]曝光對準方法

有效

• 申請號: 201210101351.2
• 申請日: 2012-03-31
• 公開（公告）號: CN103365124A
• 公開（公告）日: 2013-10-23
• 發明（設計）人: 黃宜斌;劉暢
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: G03F9/00
• 分類號: G03F9/00;G03F7/20
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 駱蘇華

1.一種曝光對準方法，其特征在于，包括：

將待曝光晶圓分為若干個區域，所述待曝光晶圓包括若干個成矩陣排列的芯片區域；

對所述待曝光晶圓的若干個區域分別進行偏移測量，獲得所述待曝光晶圓不同區域對應的校正公式；

對所述待曝光晶圓的某個區域內的芯片區域進行曝光時，利用對應的校正公式，調整待曝光晶圓的位置。

2.如權利要求1所述的曝光對準方法，其特征在于，根據待曝光晶圓的不同區域的扭曲變形幅度，將待曝光晶圓分為若干個區域。

3.如權利要求1所述的曝光對準方法，其特征在于，包括：將待曝光晶圓分為第一區域和與第一區域相對的第二區域；

對待曝光晶圓的第一區域進行第一偏移測量，獲得所述待曝光晶圓的第一區域的第一校正公式；

對待曝光晶圓的第二區域進行第二偏移測量，獲得所述待曝光晶圓的第二區域的第二校正公式；

對所述待曝光晶圓的芯片區域進行曝光，當待曝光的芯片區域位于第一區域時，利用所述第一校正公式，調整待曝光晶圓的位置；當待曝光的芯片區域位于第二區域時，利用所述第二校正公式，調整待曝光晶圓的位置。

4.如權利要求3所述的曝光對準方法，其特征在于，所述第一區域為待曝光晶圓靠近圓心的區域，所述第二區域為待曝光晶圓靠近邊緣的區域。

5.如權利要求3所述的曝光對準方法，其特征在于，所述第一區域為待曝光晶圓靠近邊緣的區域，所述第二區域為待曝光晶圓靠近圓心的區域。

6.如權利要求3所述的曝光方法，其特征在于，所述第一區域和第二區域之間的邊界位于以待曝光晶圓的中心為圓心，以待曝光晶圓半徑的30％為內徑，以待曝光晶圓半徑的80％為外徑的圓環內。

7.如權利要求1所述的曝光對準方法，其特征在于，將所述待曝光晶圓分為若干個扇形區域，對所述若干個扇形區域分別進行偏移測量，獲得不同扇形區域對應的校正公式。

8.如權利要求1所述的曝光對準方法，其特征在于，將所述待曝光晶圓分為若干個矩形區域，對所述若干個矩形區域分別進行偏移測量，獲得不同矩形區域對應的校正公式。

9.如權利要求1所述的曝光對準方法，其特征在于，將所述待曝光晶圓分為一個圓形區域和至少一個同心環區域，對所述圓形區域和至少一個同心環區域分別進行偏移測量，獲得不同區域對應的校正公式。

10.如權利要求1所述的曝光對準方法，其特征在于，根據待曝光晶圓的不同區域的扭曲變形幅度，將待曝光晶圓分為若干個區域，使得每個區域的扭曲變形的幅度相同。

11.如權利要求1所述的曝光對準方法，其特征在于，以所述待曝光晶圓的圓心為坐標原點，以待曝光晶圓的切片線為X軸和Y軸建立坐標系，利用所述坐標系獲得校正公式。

12.如權利要求11所述的曝光對準方法，其特征在于，所述校正公式包括側移校正公式、放大校正公式和旋轉校正公式。

13.如權利要求12所述的曝光對準方法，其特征在于，所述側移校正公式為Tx＝k1，Ty＝k2，其中，當待曝光的芯片區域的X坐標為x，Y坐標為y時，所述Tx為待曝光晶圓需要向X軸正方向校正的校正量，所述Ty為待曝光晶圓需要向Y軸正方向校正的校正量，所述k1為第一校正系數，所述k2為第二校正系數。

14.如權利要求12所述的曝光對準方法，其特征在于，所述放大校正公式為Ex＝k3*x，Ey＝k4*y，其中，當待曝光的芯片區域的X坐標為x，Y坐標為y時，所述Ex為待曝光晶圓需要向X軸正方向校正的校正量，所述Ey為待曝光晶圓需要向Y軸正方向校正的校正量，所述k3為第三校正系數，所述k4為第四校正系數。

15.如權利要求12所述的曝光對準方法，其特征在于，所述旋轉校正公式為Rx＝k5*y，Ry＝k6*x，其中，當待曝光的芯片區域的X坐標為x，Y坐標為y時，所述Rx為待曝光晶圓需要向X軸正方向校正的校正量，所述Ry為待曝光晶圓需要向Y軸正方向校正的校正量，所述k5為第五校正系數、k6為第六校正系數。

16.如權利要求1所述的曝光對準方法，其特征在于，調整所述待曝光晶圓的位置后，對所述待曝光晶圓的芯片區域進行曝光。