[發明專利]一種低表面張力的硅基光纖陣列V槽的制作方法

有效

• 申請號: 201210100996.4
• 申請日: 2012-04-06
• 公開（公告）號: CN102608702A
• 公開（公告）日: 2012-07-25
• 發明（設計）人: 繆建民
• 申請（專利權）人: 繆建民
• 主分類號: G02B6/13
• 分類號: G02B6/13;G02B6/136
• 代理公司: 無錫市大為專利商標事務所 32104
• 代理人: 殷紅梅

1.?一種低表面張力的硅基光纖陣列V槽的制作方法，其特征是該制作包括如下步驟：

a、在<100>晶向硅基的上表面生成一層保護薄膜，所述保護薄膜為熱氧化SiO₂薄膜或Si₃N₄薄膜；

b、在保護薄膜上通過勻膠機旋涂一層光刻膠膜；

c、在光刻膠膜上光刻出腐蝕Ｖ槽所需的圖案，使得腐蝕Ｖ槽所需圖案位置對應的保護薄膜露出；

d、使用反應離子刻蝕工藝刻蝕掉腐蝕Ｖ槽所需圖案位置對應的保護薄膜，腐蝕Ｖ槽所需圖案位置對應的硅基露出；

e、利用丙酮溶液去除硅基上的光刻膠膜；

f、使用KOH溶液或TMAH溶液蝕刻已經被步驟d露出的硅基，形成Ｖ槽，由于各向異性腐蝕，故Ｖ槽的側面夾角由硅基的晶向決定，Ｖ槽兩側面的夾角為70.6°，Ｖ槽的開口寬度為120~125微米，Ｖ槽的脊背寬度為2~7微米；

g、用對應溶液去除硅基上的保護薄膜；

h、在去除保護薄膜后的硅基上通過低壓化學汽相淀積工藝淀積的低表面張力薄膜，低表面張力薄膜為Si₃N₄薄膜，Si₃N₄薄膜的厚度為100~300納米。

2.根據權利要求1所述的低表面張力的硅基光纖陣列V槽的制作方法，其特征是：步驟a中所述的保護薄膜為通過熱氧化生成的SiO₂薄膜，且SiO₂薄膜的厚度為1.8~2.5微米。

3.根據權利要求1所述的低表面張力的硅基光纖陣列V槽的制作方法，其特征是：步驟a中所述的保護薄膜為在硅基表面上通過低壓化學汽相淀積工藝淀積的Si₃N₄薄膜，且Si₃N₄薄膜的厚度為100~300納米。

4.根據權利要求1所述的低表面張力的硅基光纖陣列V槽的制作方法，其特征是：步驟b中所述的光刻膠膜的厚度為3~4微米。

5.根據權利要求1所述的低表面張力的硅基光纖陣列V槽的制作方法，其特征是：步驟f中所述的KOH溶液中KOH的重量百分含量為20%~45%。

6.根據權利要求1所述的低表面張力的硅基光纖陣列V槽的制作方法，其特征是：作為優選，步驟f中所述的TMAH溶液中，TMAH的重量百分含量為20%~30%。

7.根據權利要求1所述的低表面張力的硅基光纖陣列V槽的制作方法，其特征是：步驟g中所述的保護薄膜為SiO₂薄膜，則使用BOE溶液去除SiO₂薄膜，在BOE溶液中，HF與NH₄F的物質的量之比為1:6，且在BOE溶液中，HF的重量百分含量為49%，NH₄F的重量百分含量為40%。

8.根據權利要求1所述的低表面張力的硅基光纖陣列V槽的制作方法，其特征是：步驟g中所述的保護薄膜為Si₃N₄薄膜，則使用H₃PO₄溶液去除Si₃N₄薄膜，在H₃PO₄溶液中H₃PO₄的重量百分含量為80%~85%。