[發(fā)明專利]拋光加工裝置無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201210100798.8 | 申請日: | 2012-04-09 |
| 公開(公告)號: | CN103358215A | 公開(公告)日: | 2013-10-23 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 陳柏洲 | 申請(專利權(quán))人: | 鴻富錦精密工業(yè)(深圳)有限公司;鴻海精密工業(yè)股份有限公司 |
| 主分類號: | B24B29/00 | 分類號: | B24B29/00;B24B49/12 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 518109 廣東省深圳市*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 拋光 加工 裝置 | ||
1.一種拋光加工裝置,用于對待拋光件進(jìn)行拋光加工,所述拋光加工裝置包括一個(gè)可動(dòng)座體以及一個(gè)拋光刀具,所述拋光刀具固定于所述可動(dòng)座體上,所述可動(dòng)座體用于帶動(dòng)所述拋光刀具進(jìn)行拋光加工,其特征在于:所述拋光加工裝置還包括一個(gè)平面度檢測單元,所述平面度檢測單元固定設(shè)置于所述可動(dòng)座體上并且位于所述拋光刀具進(jìn)行拋光加工的行進(jìn)方向后方,用于循所述拋光刀具的拋光加工軌跡檢測拋光加工后的所述待拋光件的表面平面度。
2.如權(quán)利要求1所述的拋光加工裝置,其特征在于:所述平面度檢測單元包括一個(gè)相干光源、一個(gè)分光元件、一個(gè)反射鏡、一個(gè)干涉條紋接收單元以及一個(gè)干涉條紋分析單元,所述相干光源用于產(chǎn)生相干光線并將所述相干光線射向所述分光元件,所述分光元件用于將所述相干光線分為兩束相干光線并將所述兩束相干光線的其中一束相干光線投射至所述待拋光件的拋光加工后的表面,所述反射鏡設(shè)置于所述兩束相干光線的另一束相干光線的光路上,用于將所述另一束相干光線反射回所述分光元件,所述干涉條紋接收單元設(shè)置于所述待拋光件反射的光線以及所述反射鏡反射的光線經(jīng)過所述分光元件后的共同光路上,所述干涉條紋分析單元與所述干涉條紋接收單元相連用于分析所述干涉條紋接收單元所接收到的干涉條紋并得出所述待拋光件拋光加工后的表面平面度情況。
3.如權(quán)利要求2所述的拋光加工裝置,其特征在于:所述相干光源所產(chǎn)生的相干光線的行進(jìn)方向與所述拋光刀具進(jìn)行拋光加工的行進(jìn)方向平行。
4.如權(quán)利要求2所述的拋光加工裝置,其特征在于:所述相干光源所產(chǎn)生的相干光線的行進(jìn)方向與所述拋光刀具進(jìn)行拋光加工的行進(jìn)方向垂直。
5.如權(quán)利要求2所述的拋光加工裝置,其特征在于:所述分光元件為半透半反式光學(xué)薄膜。
6.如權(quán)利要求2所述的拋光加工裝置,其特征在于:所述反射鏡能夠沿所述遠(yuǎn)離或者靠近所述分光元件的方向移動(dòng)。
7.如權(quán)利要求2所述的拋光加工裝置,其特征在于:所述干涉條紋接收單元為CCD或者CMOS。
8.如權(quán)利要求2所述的拋光加工裝置,其特征在于:所述干涉條紋分析單元包括一個(gè)存儲器以及一個(gè)處理器,所述存儲器內(nèi)預(yù)存有不同樣式的干涉條紋所對應(yīng)的平面度情況,所述處理器依據(jù)所述干涉條紋接收單元所接收到的干涉條紋分析所述干涉條紋的特征,并依據(jù)所述干涉條紋的特征匹配所述存儲器內(nèi)預(yù)存的干涉條紋樣式,進(jìn)一步得到所述待拋光件的表面平面度狀況。
9.如權(quán)利要求8所述的拋光加工裝置,其特征在于:所述干涉條紋分析單元還依據(jù)所得到的所述待拋光件的表面平面度狀況進(jìn)一步計(jì)算出所述拋光刀具需要調(diào)整的位置量,并將所述位置量回饋至所述可動(dòng)座體進(jìn)行所述拋光刀具的位置調(diào)整。
10.如權(quán)利要求2所述的拋光加工裝置,其特征在于:所述相干光源為激光發(fā)生器。
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