[發(fā)明專利]半導體封裝結構及其封裝方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210100708.5
• 申請日: 2012-04-09
• 公開（公告）號: CN103367298A
• 公開（公告）日: 2013-10-23
• 發(fā)明（設計）人: 謝慶堂;郭志明;涂家榮;張世杰;倪志賢;何榮華;吳釧有;林恭安
• 申請（專利權）人: 頎邦科技股份有限公司
• 主分類號: H01L23/492
• 分類號: H01L23/492;H01L21/60
• 代理公司: 北京中原華和知識產權代理有限責任公司 11019
• 代理人: 壽寧;張華輝

1.一種半導體封裝結構，其特征在于其至少包含：

一第一基板，，具有一第一表面、多個設置于該第一表面的第一導接墊、多個電性連接于所述第一導接墊的第一凸塊及多個第一焊料層，各該第一焊料層形成于各該第一凸塊上且各該第一焊料層具有一錐狀凹槽，該錐狀凹槽具有一內側壁；

一第二基板，其具有一第二表面、多個設置于該第二表面的第二導接墊、多個形成于所述第二導接墊的第二凸塊及多個第二焊料層，各該第二焊料層形成于各該第二凸塊上，各該第二焊料層為一錐狀體且具有一外環(huán)壁，各該第二焊料層結合于各該第一焊料層且各該第二焊料層容設于各該第一焊料層，各該錐狀凹槽的該內側壁接觸各該第二焊料層的該外環(huán)壁；以及

一封膠體，其形成于該第一基板及該第二基板之間。

2.如權利要求1所述的半導體封裝結構，其特征在于其中所述的各該第一凸塊具有一第一頂面，各該第二焊料層另具有一第二頂面，該第一頂面接觸該第二頂面。

3.如權利要求1所述的半導體封裝結構，其特征在于其中所述的各該第二凸塊具有一錐狀環(huán)壁，該錐狀環(huán)壁及該第二表面之間具有一第一夾角，該第一夾角大于90度。

4.如權利要求1所述的半導體封裝結構，其特征在于其中所述的各該第二焊料層的該外環(huán)壁及該第二表面之間具有一第二夾角，該第二夾角大于90度。

5.如權利要求1所述的半導體封裝結構，其特征在于其中所述的各該錐狀凹槽具有一上開口及一下開口，該上開口具有一第一寬度，該下開口具有一第二寬度，該第二寬度小于該第一寬度。

6.如權利要求1所述的半導體封裝結構，其特征在于其中所述的第一凸塊及所述第二凸塊的材質選自于金、銅、銅/鎳或銅/鎳/金其中之一。

7.如權利要求1所述的半導體封裝結構，其特征在于其中所述的第一凸塊的材質為介電材質。

8.如權利要求7所述的半導體封裝結構，其特征在于另包含有多個第一金屬柱芯層，各該第一凸塊包覆各該第一金屬柱芯層且各該第一金屬柱芯層具有一第一端及一第二端，各該第一端接觸各該第一凸塊且各該第二端為顯露。

9.如權利要求1所述的半導體封裝結構，其特征在于其中所述的第二凸塊的材質為介電材質。

10.如權利要求9所述的半導體封裝結構，其特征在于另包含有多個第二金屬柱芯層，各該第二凸塊包覆各該第二金屬柱芯層且各該第二金屬柱芯層具有一第三端及一第四端，各該第三端接觸各該第二凸塊且各該第四端接觸各該第二焊料層。

11.如權利要求1所述的半導體封裝結構，其特征在于其中所述的第一焊料層及所述第二焊料層的材質選自于無鉛焊料。

12.一種半導體封裝方法，其特征在于其至少包含：

提供一第一基板，該第一基板具有一第一表面、多個設置于該第一表面的第一導接墊、多個電性連接于所述第一導接墊的第一凸塊及多個第一焊料層，各該第一焊料層形成于各該第一凸塊上且各該第一焊料層具有一錐狀凹槽，該錐狀凹槽具有一內側壁；

倒裝接合一第二基板與該第一基板，該第二基板具有一第二表面、多個設置于該第二表面的第二導接墊、多個電性連接于所述第二導接墊的第二凸塊及多個第二焊料層，各該第二焊料層形成于各該第二凸塊上，各該第二焊料層為一錐狀體且具有一外環(huán)壁；

加壓加溫該第二基板以使各該第二焊料層結合于各該第一焊料層且各該第二焊料層容設于各該第一焊料層，各該錐狀凹槽的該內側壁接觸各該第二焊料層的該外環(huán)壁；以及

形成一封膠體于該第一基板及該第二基板之間。

13.如權利要求12所述的半導體封裝方法，其特征在于其中所述的加壓加溫該第二基板的步驟中，壓力值介于0.4牛頓(N)-120牛頓(N)，溫度值介于180℃-460℃。