[發明專利]一種LED晶片微焊共晶方法

無效

• 申請號: 201210100565.8
• 申請日: 2012-04-09
• 公開（公告）號: CN102601477A
• 公開（公告）日: 2012-07-25
• 發明（設計）人: 羅會才;王鴻;諶孫佐;陳小宇;胡霞軍
• 申請（專利權）人: 深圳市因沃客科技有限公司
• 主分類號: B23K1/00
• 分類號: B23K1/00;B23K1/20
• 代理公司: 深圳市凱達知識產權事務所 44256
• 代理人: 劉大彎

1.一種LED晶片微焊共晶方法，其特征在于，包括

篩選配比合適的銀錫焊料；

預熱基片或底座；

焊料涂布，將銀錫焊料涂布于基片支架上，用于固定LED晶片位置，并通過助焊劑加熱使焊料融化填充于支架LED共晶位置上；

給基片蒸鍍上一層厚度為1μm以上的保護層，所述保護層為銀、金或其它合金；

在共晶溫度下將芯片焊接到基片上；

在直接加熱、熱超聲或對點加熱的條件下將焊接好的產品進行共晶焊接處理。

2.根據權利要求1所述的LED晶片微焊共晶方法，其特征在于，所述方法還包括清潔基片支架的步驟。

3.根據權利要求1或2所述的LED晶片微焊共晶方法，其特征在于，在焊接過程中，焊接環境為自然條件，或真空環境，或真空加入保護氣體的環境，所述保護氣體為惰性氣體、氫氣或氮氫混合氣體。

4.根據權利要求1或2所述的LED晶片微焊共晶方法，其特征在于，所述焊接時的共晶溫度為200-282℃。

5.根據權利要求1或2所述的LED晶片微焊共晶方法，其特征在于，所述焊接時的共晶溫度為銀-錫焊料的共晶點溫度加上10-20℃。

6.根據權利要求1或2所述的LED晶片微焊共晶方法，其特征在于，所述預熱基片或底座步驟的預熱溫度為200℃。

7.根據權利要求1或2所述的LED晶片微焊共晶方法，其特征在于，所述方法還包括，所述共晶焊接處理步驟完成后，在自然條件下或在氮氣保護氣環境下進行緩慢冷卻。

8.根據權利要求1或2所述的LED晶片微焊共晶方法，其特征在于，所述晶片或焊片保存于氮氣柜中。

9.根據權利要求1或2所述的LED晶片微焊共晶方法，其特征在于，還包括，在焊接前，通過顯微鏡檢測焊接面的潔凈度、平整度和是否生成了氧化物。

10.根據權利要求9所述的LED晶片微焊共晶方法，其特征在于，所述潔凈度、平整度和是否生成了氧化物的判斷標準為；在40倍的顯微鏡下表面平整度為鍍層清潔光亮，顏色金黃無晦暗的氧化層。

11.根據權利1或2所述的LED晶片微焊共晶方法，其特征在于，所述共晶焊接處理步驟包括至少五個階段，預熱階段，加熱階段，焊接階段，保溫階段和冷卻階段。

12.根據權利1或2所述的LED晶片微焊共晶方法，其特征在于，在焊接前和焊接過程中，定期用表面溫度計測量加熱基座的表面溫度，并根據支架的材料、大小、熱容量的不同進行相應調整焊接溫度。

13.根據權利1或2所述的LED晶片微焊共晶方法，其特征在于，在焊接前和焊接過程中，定期用表面溫度計監測焊接面的溫度，最佳共晶溫度為220-242℃。

14.根據權利1或2所述的LED晶片微焊共晶方法，其特征在于，在焊接前和焊接過程中，定期用表面溫度計監測焊接面的溫度，最佳共晶溫度為260-282℃。