[發(fā)明專利]一種制備金屬-PDMS復(fù)合材料的方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210099903.0
• 申請日: 2012-04-06
• 公開（公告）號: CN102627784A
• 公開（公告）日: 2012-08-08
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 李峻柏;魯聞生
• 申請（專利權(quán)）人: 中國科學(xué)院化學(xué)研究所
• 主分類號: C08J7/00
• 分類號: C08J7/00;C08J7/04;C08L83/04;C08K3/08;B22F9/24;B82Y40/00
• 代理公司: 北京紀凱知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11245
• 代理人: 關(guān)暢

1.一種制備金屬-聚二甲基硅氧烷復(fù)合材料的方法，包括下述步驟：

1)將聚二甲基硅氧烷浸入到金屬前驅(qū)體的水溶液中，進行原位還原反應(yīng)，在聚二甲基硅氧烷表面整體生成金屬納米顆粒種子；

2)將步驟1)處理的聚二甲基硅氧烷取出后用水清洗，然后浸于擴增溶液中，進行擴增反應(yīng)，在聚二甲基硅氧烷表面生成金屬薄膜層，即得到金屬-聚二甲基硅氧烷復(fù)合材料；其中，所述擴增溶液為含步驟1)中所述金屬前驅(qū)體、保護劑和還原劑的水溶液。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于：步驟1)中所述聚二甲基硅氧烷為片狀、管狀、棒狀或其他異型形狀。

3.一種制備金屬-聚二甲基硅氧烷復(fù)合材料的方法，包括下述步驟：

1)將聚二甲基硅氧烷與金屬前驅(qū)體的水溶液區(qū)域化接觸，進行原位還原反應(yīng)，在聚二甲基硅氧烷表面區(qū)域性生成金屬納米顆粒種子；

2)將步驟1)處理的聚二甲基硅氧烷用水清洗，然后將其中沉積金屬納米顆粒種子的區(qū)域與擴增溶液接觸，進行擴增反應(yīng)，在聚二甲基硅氧烷表面區(qū)域性生成金屬薄膜層，即得到金屬-聚二甲基硅氧烷復(fù)合材料；其中，所述擴增溶液為含步驟1)中所述金屬前驅(qū)體和保護劑的水溶液。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于：步驟1)中所述聚二甲基硅氧烷為具有通道的聚二甲基硅氧烷芯片。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于：步驟1)中用注射泵將金屬前驅(qū)體的水溶液通過所述芯片的入口注入到需要進行區(qū)域化修飾的通道中，使所述金屬前驅(qū)體的水溶液與通道內(nèi)壁接觸，進行原位還原反應(yīng)；

步驟2)中用注射泵向所述芯片中注入水清洗通道；并用注射泵將所述擴增液注入沉積金屬納米顆粒種子的通道中，進行擴增反應(yīng)。

6.根據(jù)權(quán)利要求1-5中任一項所述的方法，其特征在于：所述金屬-聚二甲基硅氧烷復(fù)合材料中的金屬選自下述任意一種：金、銀、鉑和銅。

7.根據(jù)權(quán)利要求1-6中任一項所述的方法，其特征在于：步驟1)中所述金屬前驅(qū)體選自下述任意一種：氯金酸、氯化金、硝酸銀、醋酸銀、氯鉑酸、氯化銅和硫酸銅；所述金屬前驅(qū)體的水溶液的濃度為0.001-1mol/L。

8.根據(jù)權(quán)利要求1-7中任一項所述的方法，其特征在于：步驟1)中所述原位還原反應(yīng)的反應(yīng)溫度為室溫，反應(yīng)時間為0.1-96小時。

9.根據(jù)權(quán)利要求1-8中任一項所述的方法，其特征在于：步驟2)中所述擴增溶液中的保護劑選自檸檬酸鈉和/或檸檬酸三鈉；所述擴增溶液中的還原劑為抗壞血酸；

所述擴增溶液中金屬前驅(qū)體的濃度為1.25×10^-9-1.25×10^-3mol/L，抗壞血酸的濃度為1×10^-6-1mol/L，檸檬酸鈉的濃度為0-0.2g/ml，檸檬酸三鈉的濃度為0-0.2g/ml，所述檸檬酸鈉和檸檬酸三鈉的濃度不同時為0。

10.根據(jù)權(quán)利要求1-9中任一項所述的方法，其特征在于：步驟2)中所述擴增反應(yīng)的反應(yīng)溫度為室溫，反應(yīng)時間為1-120分鐘。