[發明專利]用于處理基板的裝置

有效

• 申請號: 201310322596.2
• 申請日: 2013-07-29
• 公開（公告）號: CN103578906A
• 公開（公告）日: 2014-02-12
• 發明（設計）人: 金炯俊;李承杓;禹亨濟
• 申請（專利權）人: 細美事有限公司
• 主分類號: H01J37/32
• 分類號: H01J37/32
• 代理公司: 北京品源專利代理有限公司 11332
• 代理人: 楊生平;鐘錦舜

技術領域

這里公開的本發明涉及一種用于處理基板的裝置，并且更具體地說，涉及一種通過利用等離子處理基板的裝置。

背景技術

為了制造半導體器件，可以在基板上執行諸如光刻處理、蝕刻處理、灰化處理、離子注入處理、薄膜沉積處理以及清洗處理的多種處理以在基板上形成期望的圖案。在這些處理中，可以執行蝕刻處理以移除形成在基板上的層中的選定的區域。蝕刻處理可以包括濕蝕刻處理與干蝕刻處理。

這里，利用等離子的蝕刻器件可以用于執行干蝕刻處理。一般地說，可以在室內形成磁場以形成等離子。磁場可以將提供到室中的處理氣體激發成等離子狀態。

等離子表示包含離子、電子與自由基的離子化的氣體。可以通過超高溫、強電場或電磁場（EF）產生等離子。包含在等離子中的離子顆粒與基板碰撞以執行蝕刻處理。

等離子不僅存在于室內的基板的直接上面中，而且沿著多個方向散布。特別地，如果大量等離子散布到室內的邊緣區域中，那么可能使基板處理過程的效率變差。

發明內容

本發明提供了一種利用等離子的基板處理裝置，所述基板處理裝置在基板處理過程中能夠將室內的等離子集中到其中布置有基板的中心區域中。

本發明還提供了一種基板處理裝置，所述基板處理裝置在將流體排放到室中時能夠通過導流件防止發生電弧放電。

本發明的特征不限于上述，而且本領域中的技術人員將會從下面的描述中清楚地理解這里未描述的其它特征。

本發明的實施方式提供了基板處理裝置。

基板處理裝置包括：殼體，其具有在其中進行基板處理的內部空間；支撐件，其布置在殼體內以支撐基板；氣體供給單元，其將氣體供給到殼體中；等離子源，其從供給到殼體中的氣體產生等離子；以及導流件單元，其布置為圍繞在殼體內的支撐件，導流件單元包括導流件，其中限定了用于將氣體排放到殼體的內部空間中的通孔，其中當從上面觀察時所述導流件被分成多個區域，并且多個區域中的一部分中的每個都由金屬材料形成，并且多個區域中的其它部分中的每個都由非金屬材料形成。

在一些實施方式中，通孔限定在每個金屬材料區域與每個非金屬材料區域之間的邊界中。

在其它實施方式中，多個區域可以同心地布置，并且多個區域中的每個都可以具有環形形狀。

在此外的其它實施方式中，金屬材料區域可以布置在每個非金屬材料區域的的兩個側面上。

在此外的其它實施方式中，金屬材料區域與非金屬材料區域可以交替地重復設置。

在此外的其它實施方式中，多個區域中的部分可以彼此具有不同的厚度。

在此外的其它實施方式中，多個區域中的每個都可以具有從其中心區域到邊緣區域逐漸增加的厚度。

在此外的其它實施方式中，多個區域的頂面可以彼此結合以提供圓形的形狀。

在此外的其它實施方式中，多個區域中的每個都可以具有從其中心區域到邊緣區域逐漸增加的厚度。

在此外的其它實施方式中，非金屬材料可以包括電介質物質。

在此外的其它實施方式中，導流件單元還可以包括導流件接地板，所述導流件接地板具有與導流件的底面接觸的頂面，導流件接地板連接到殼體上以使導流件接地。

在此外的其它實施方式中，基板處理裝置還可以包括布置在殼體頂面上的等離子感應件，等離子感應件具有朝向其邊緣區域逐漸增加的厚度。

在此外的其它實施方式中，等離子感應件可以具有圓形形狀的底面。

在此外的其它實施方式中，基板處理裝置還可以包括布置在殼體頂面上的等離子感應件，等離子感應件具有朝向其邊緣區域逐漸增加的厚度。

本發明的其它實施方式提供了導流件單元。

導流件單元包括：導流件，其中限定了用于將氣體排放到處理基板的空間中的通孔；接地板，其與導流件接觸以使導流件接地，其中當從上面觀察時所述導流件被分成多個區域，并且多個區域的一部分設置為金屬材料區域，并且多個區域中的其它部分設置為非金屬材料區域，

在一些實施方式中，通孔限定在每個金屬材料區域與每個非金屬材料區域之間的邊界中。

在其它實施方式中，金屬材料區域與非金屬材料區域可以同心地布置，并且多個區域中的每個都可以具有環形形狀。

在此外的其它實施方式中，金屬材料區域與非金屬材料區域可以交替地重復設置。

在此外的其它實施方式中，多個區域中的部分可以彼此具有不同的厚度。