[發明專利]光刻設備和方法

有效

• 申請號: 201210099754.8
• 申請日: 2012-04-06
• 公開（公告）號: CN102736442A
• 公開（公告）日: 2012-10-17
• 發明（設計）人: E·R·魯普斯特拉;S·派克德爾;H-K·尼恩惠斯
• 申請（專利權）人: ASML荷蘭有限公司
• 主分類號: G03F7/20
• 分類號: G03F7/20
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 吳敬蓮

1.一種光刻設備，包括：

投影系統，配置成將圖案化的輻射束投影到襯底上，所述投影系統包括

多個反射性光學元件，其中開口穿過所述反射性光學元件中的一個和穿過所述投影系統的壁，和

覆蓋層，配置成封閉所述開口，其中所述覆蓋層對于EUV輻射基本上是透明的。

2.根據權利要求1所述的光刻設備，其中所述覆蓋層定位成在所述開口的外端處或其附近。

3.根據權利要求1或2所述的光刻設備，其中所述投影系統還包括氣體出口，所述氣體出口配置成產生氣流，所述氣流抑制污染物到達所述覆蓋層。

4.根據權利要求3所述的光刻設備，其中所述氣體出口配置成產生所述氣流，使得所述氣體行進跨過所述覆蓋層。

5.根據權利要求4所述的光刻設備，其中所述投影系統的壁包括引導壁，所述引導壁限定向外傾斜成錐形的體積，所述向外傾斜成錐形的體積配置成容納在所述氣體已經行進跨過所述覆蓋層之后的所述氣體。

6.根據權利要求1所述的光刻設備，其中所述覆蓋層定位成位于沿所述開口自下向上的至少途中位置，其中所述投影系統還包括氣體出口，所述氣體出口配置成將氣體引入到所述覆蓋層外面的開口中。

7.根據權利要求6所述的光刻設備，其中所述開口包括延伸超過所述投影系統的壁的突出部分。

8.根據權利要求7所述的光刻設備，其中所述投影系統還包括致動器，所述致動器配置成將所述突出部分遠離所述光刻設備的襯底臺移動。

9.根據前述權利要求中任一項所述的光刻設備，還包括覆蓋層容納設備，所述覆蓋層容納設備配置成在所述覆蓋層被從所述開口移除時容納所述覆蓋層。

10.根據權利要求9所述的光刻設備，其中所述覆蓋層容納設備定位在所述光刻設備的襯底臺上。

11.根據權利要求9或10所述的光刻設備，還包括配置成朝向所述覆蓋層容納設備移動所述覆蓋層的致動器。

12.一種光刻設備，包括：

投影系統，配置成將圖案化的輻射束投影到襯底上，所述投影系統包括：

定位在腔中的多個反射性光學元件，其中開口穿過所述反射性光學元件中的一個和穿過所述投影系統的壁，和

氣體出口，配置成傳輸氣體到所述腔中，使得氣流被從所述腔穿過所述開口建立。

13.一種光刻方法，包括步驟：

使用圖案形成裝置使輻射束形成圖案；

使用投影系統將圖案化的輻射束投影到襯底上，其中開口穿過所述投影系統的反射性元件和穿過所述投影系統的壁，其中圖案化的輻射束在入射到襯底上之前穿過所述開口，且其中所述開口被覆蓋層封閉，所述覆蓋層對于EUV是基本上透明的。

14.根據權利要求13所述的光刻方法，還包括步驟：使用覆蓋層容納設備從所述開口移除所述覆蓋層；和使用所述覆蓋層容納設備以替代覆蓋層更換所述覆蓋層。

15.一種光刻方法，包括步驟：

使用圖案形成裝置使輻射束形成圖案；和

使用投影系統將圖案化的輻射束投影到襯底上，其中開口穿過所述投影系統的反射性光學元件和穿過所述投影系統的壁，其中圖案化的輻射束在入射到襯底上之前穿過所述開口，且其中氣體引入到所述投影系統中，使得從所述投影系統穿過所述開口建立氣流。