[發明專利]層疊有機光敏器件有效
| 申請號: | 201210099713.9 | 申請日: | 2005-07-29 |
| 公開(公告)號: | CN102610627A | 公開(公告)日: | 2012-07-25 |
| 發明(設計)人: | 斯蒂芬·福里斯特;薛劍耿;內田聰一;巴里·P·蘭德 | 申請(專利權)人: | 普林斯頓大學理事會 |
| 主分類號: | H01L27/30 | 分類號: | H01L27/30;H01L51/42 |
| 代理公司: | 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 11038 | 代理人: | 秦晨 |
| 地址: | 美國*** | 國省代碼: | 美國;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 層疊 有機 光敏 器件 | ||
1.一種層疊有機光敏器件,包括:
第一電極;
第二電極;
布置在第一電極和第二電極之間的第一有機光激活區;
布置在第一電極和第二電極之間的第二有機光激活區;
其中所述器件包括反射層,并且第一有機光激活區和第二有機光激活區布置在反射層的相同側;
其中λ1是第一有機光激活區的最高三個吸收峰中的一個的波長,并且λ2是第二有機光激活區的最高三個吸收峰中的一個的波長;
其中λ1與λ2相差至少10%;
其中第一有機光激活區布置在一個使得在第一有機光激活區內或在第一有機光激活區的0.05λ1/na內對于波長λ1有光場強度的最大值的位置,其中na是發生最大值處的材料的折射率;以及
其中第二有機光激活區布置在一個使得在第二有機光激活區內或在第二有機光激活區的0.05λ2/nb內對于波長λ2有光場強度的最大值的位置,其中nb是發生最大值處的材料的折射率。
2.一種層疊有機光敏器件,包括:
第一電極;
第二電極;
布置在第一電極和第二電極之間的第一有機光激活區;以及
布置在第一電極和第二電極之間的第二有機光激活區;
其中第一有機光激活區和第二有機光激活區具有不同的吸收特征;
其中在λ1±5%波長范圍上第一有機光激活區的平均吸收大于第二有機光激活區的平均吸收;
其中在λ2±5%波長范圍上第二有機光激活區的平均吸收大于第一有機光激活區的平均吸收;
其中λ2比λ1大至少10%。
3.根據權利要求2的器件,其中所述器件包括反射層,并且其中第一有機光激活區和第二有機光激活區布置在反射層的相同側,并且其中第一有機光激活區布置成比第二有機光激活區更接近于反射層。
4.根據權利要求3的器件,其中第一電極是反射層。
5.根據權利要求2的器件,其中在λ1±5%波長范圍上第一有機光激活區的平均吸收比第二有機光激活區的平均吸收大至少5%;
其中在λ2±5%波長范圍上第二有機光激活區的平均吸收比第一有機光激活區的平均吸收大至少5%。
6.根據權利要求2的器件,其中第一有機光激活區和第二有機光激活區都包括材料C60和CuPc,并且第一有機光激活區中C60的百分比大于第二有機光激活區中C60的百分比。
7.根據權利要求2的器件,其中第一有機光激活區的位置處對于λ1±5%波長范圍的平均光場強度大于第二有機光激活區的位置處對于λ1±5%波長范圍的平均光場強度,并且其中第二有機光激活區的位置處對于λ2±5%波長范圍的平均光場強度大于第一有機光激活區的位置處對于λ2±5%波長范圍的平均光場強度。
8.根據權利要求5的器件,其中第一有機光激活區的位置處對于λ1±5%波長范圍的平均光場強度大于第二有機光激活區的位置處對于λ1±5%波長范圍的平均光場強度,并且其中第二有機光激活區的位置處對于λ2±5%波長范圍的平均光場強度大于第一有機光激活區的位置處對于λ2±5%波長范圍的平均光場強度。
9.根據權利要求2的器件,還包括布置在第一電極和第二電極之間的第三有機光激活區。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





