[發(fā)明專利]Cu2FeSnS4納米晶薄膜的水浴制備方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201210099621.0 | 申請日: | 2012-04-09 |
| 公開(公告)號: | CN102623567A | 公開(公告)日: | 2012-08-01 |
| 發(fā)明(設計)人: | 張彬磊;曹萌;李亮;沈悅;王林軍 | 申請(專利權)人: | 上海大學 |
| 主分類號: | H01L31/18 | 分類號: | H01L31/18;H01L31/032 |
| 代理公司: | 上海上大專利事務所(普通合伙) 31205 | 代理人: | 顧勇華 |
| 地址: | 200444*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | cu sub fesns 納米 薄膜 水浴 制備 方法 | ||
技術領域
本發(fā)明涉及一種可作為薄膜光伏電池光吸收層的I2-II-IV-VI4族半導體納米晶薄膜的制備工藝。具體的說,是涉及一種Cu2FeSnS4納米晶薄膜的水浴制備方法。
背景技術
能源問題始終是倍受世界各國關注的一個熱點和難點問題,特別是20世紀50年代以后,歷次石油危機的爆發(fā),對世界經(jīng)濟造成巨大影響。面對化石能源的逐漸枯竭和人類生態(tài)環(huán)境的日益惡化,在能源供應方面走可持續(xù)發(fā)展道路,改變能源消費結構,大力開發(fā)利用高效、清潔的可再生能源已成為世界各國的普遍共識。太陽能是各種可再生能源中最重要的基本能源,地球上的風能、水能、海洋溫差能、波浪能、生物質能及部分潮汐能都是來源于太陽,即使是地球上的化石燃料(如煤、石油、天然氣等)從根本上說也是遠古以來貯存下來的太陽能,所以太陽能的利用范圍非常大。太陽能具有清潔、安全的特點,在開發(fā)與利用過程中沒有廢渣、廢料,不會給環(huán)境造成污染。它資源豐富,無論陸地或海洋、沙漠或草地都可就地取用,既可免費使用,又無需運輸,具有常規(guī)能源無可比擬的優(yōu)點。
目前研究的太陽能電池可以分為:硅太陽能電池、多元化合物薄膜太陽能電池、聚合物多層修飾電極型太陽能電池、納米晶太陽能電池、有機太陽能電池,其中硅太陽能電池是目前發(fā)展最成熟的,在應用中居主導地位。雖然硅系光伏器件有較高的轉換效率,然而硅電池發(fā)電成本是傳統(tǒng)發(fā)電成本的3倍,而且進一步提高硅材料光伏器件效率和降低成本的難度已經(jīng)越來越大。這促使人們開始尋找廉價、高轉化效率、環(huán)境友好型的新型太陽能光伏電池材料。近來研究的Cu2FeSnS4新材料擁有與太陽光譜較匹配的直接帶隙(1.5-2?eV),同時還具有相對較大的的吸收系數(shù)(可見光區(qū)的吸收系數(shù)不小于104cm-1),以Cu2FeSnS4作為吸收層的太陽能電池轉換效率已經(jīng)達到7.2%,而其理論效率高達32%,它是極具潛力的新型薄膜光伏電池吸收層材料。制備Cu2FeSnS4薄膜的方法分為物理法和化學法。物理法中磁控濺射技術可以制備出高質量的小面積Cu2FeSnS4多晶薄膜,所制作的光伏電池轉換效率也較高。然而,高真空環(huán)境的要求使電池的生產(chǎn)投資成本大大增加;真空沉積腔上沉淀的物質造成原料的浪費;在制備大面積Cu2FeSnS4薄膜時,該方法難以保證薄膜厚度的均勻性和化學成分的均一性,導致器件性能下降。而采用水浴法制備Cu2FeSnS4納米晶薄膜,不需要昂貴的高真空設備,也不需要較高的反應溫度即可得到化學計量比適合的Cu2FeSnS4均勻薄膜,材料的利用率非常高,這對于降低電池制作成本、研發(fā)大面積Cu2FeSnS4薄膜太陽電池提供了新思路。
發(fā)明內容
本發(fā)明的目的是提供一種低成本、高質量的Cu2FeSnS4納米晶薄膜的制備方法,這一制備方法操作簡單,所用前軀體材料成本低廉,制備的納米晶薄膜均勻致密,可以用做光伏器件的吸收層。
本發(fā)明是一種Cu2FeSnS4納米晶薄膜的制備方法,其特征在于具有如下的過程和步驟:
a.???????首先將一定量氯化亞錫,尿素和硫代乙酰胺加入盛有去離子水的燒杯中,然后將用酒精、丙酮、去離子水超聲清洗干凈的玻璃垂直懸于燒杯中;向燒杯中滴加稀鹽酸溶液調節(jié)pH值至5.5~6;升高溫度至80oC在一定攪拌速度下反應一定時間得到SnS薄膜,反應完畢后取出樣品,并用超聲法將樣品清洗干凈。制備SnS薄膜所需各原料的摩爾配比為:?
SnCl2:CN2H4O:C2H5NS=1:(1~3):(1~5);
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發(fā)光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
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