[發明專利]光刻物鏡非球面位置選擇方法

有效

• 申請號: 201210099577.3
• 申請日: 2012-04-06
• 公開（公告）號: CN102590989A
• 公開（公告）日: 2012-07-18
• 發明（設計）人: 李林;馬斌;李艷秋;劉麗輝;韓星;常軍;黃一帆
• 申請（專利權）人: 北京理工大學
• 主分類號: G02B13/18
• 分類號: G02B13/18;G02B13/14;G02B13/00;G02B13/22;G03F7/20
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1.光刻物鏡非球面位置選擇方法，其特征在于：包括如下步驟：

步驟一、確定初始系統結構中各元件位置與視場和孔徑的關系，分析各類像差對于孔徑與視場的依賴關系，得到各元件位置對于不同像差的校正敏感度；

非球面系統的五種基本像差為：球差S_I，慧差S_II，像散S_III，場曲S_IV與畸變S_V，球面系統對應的基本像差為S′_I，S′_II，S′_III，S′_IV，S′_V；它們之間的關系為：

S_I＝S′_I與ΔS_I

SII=SII′+ΔSI(hph)]]>

SIII=SIII′+ΔSI(hph)2]]>

ΔS_IV＝0

SV=SV′+ΔSV(hph)3]]>

其中h_p為中心光線在各鏡片表面高度，h為邊緣光線高度，ΔS_IV為初級場曲變化量，ΔS_V為初級畸變變化量；高階像差與視場與孔徑光闌的依賴關系如下：

步驟二、根據波像差分析結果確定主導像差；

對初始系統某一視場位置在出瞳處的波面使用邊緣Zernike多項式進行擬合，根據Zernike多項式系數數值大小，確定影響較大的像差項；每項邊緣Zernike系數對應與不同種類的像差，大數值的Zernike系數對應的像差數值較大，對整體波像差的影響較大，為主導像差；邊緣Zernike多項式各項具體含義如下：

步驟三、根據光刻仿真結果確定Zernike波像差各分項像差敏感度；

分析在系統所需光刻配置下，初始系統的Zernike波像差各分項對于光刻最終在硅片上成像性能的影響，確定各分項Zernike系數對光刻性能的敏感性；

步驟四、結合步驟一、步驟二和步驟三的分析結果，選取適當的位置添加非球面，并進行試探性優化；

步驟五、對系統進行試探性優化后，選取使像質改善較大的非球面位置作為最終位置并進行深度優化，得到像質優良的最終非球面位置。