[發(fā)明專利]一種在Si基片上外延生長(zhǎng)GaAs薄膜的方法無效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201210099098.1 | 申請(qǐng)日： | 2012-04-06 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN102618922A | 公開（公告）日： | 2012-08-01 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 趙志飛;李新華;文龍;郭浩民;步紹姜 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 中國(guó)科學(xué)院合肥物質(zhì)科學(xué)研究院 |
| 主分類號(hào)： | C30B25/16 | 分類號(hào)： | C30B25/16;C30B29/42 |
| 代理公司： | 合肥天明專利事務(wù)所 34115 | 代理人： | 奚華保 |
| 地址： | 230031 安徽省*** | 國(guó)省代碼： | 安徽;34 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 si 基片上 外延 生長(zhǎng) gaas 薄膜 方法 | ||
1.一種Si基生長(zhǎng)GaAs薄膜分子束外延的方法，其特征在于：包括下述步驟：
（1）、選取Si(111)襯底，并對(duì)Si（111）襯底清洗；
（2）、將清洗后的Si（111）襯底在上制備Ga液滴，制備溫度為620至640℃，Ga束流為2×10-7Torr，生長(zhǎng)時(shí)間為25-35min；
（3）、在Si（111）襯底上自催化生長(zhǎng)1μm的納米柱；自催化溫度為540至560℃，Ga束流為1.5×10-7Torr，As?束流為2×10-6Torr，生長(zhǎng)時(shí)間為10-20min分鐘；
（4）、溫度降至380-420℃使Ga液滴固化，Ga束流為1.5×10-7Torr，As?束流為2×10-6Torr，生長(zhǎng)時(shí)間為80-100?min，生長(zhǎng)形成GaAs薄膜。
2.?根據(jù)權(quán)利要求1所述的Si基生長(zhǎng)GaAs薄膜分子束外延的方法，其特征在于：在步驟（1）中，采用丙酮對(duì)所述Si（111）襯底超聲清洗4-6min1-3次，之后使用乙醇超聲清洗4-6min1-3次，再用去離子水清洗兩次，用氮?dú)獯蹈桑湃胝婵帐摇?/p>
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