[發(fā)明專利]在帶電粒子儀器中保護(hù)輻射檢測器的方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210099031.8
• 申請日: 2012-04-06
• 公開（公告）號: CN102737937A
• 公開（公告）日: 2012-10-17
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: M.T.奧滕;G.C.范霍夫滕;J.洛夫
• 申請（專利權(quán)）人: FEI公司
• 主分類號: H01J37/26
• 分類號: H01J37/26;H01J37/244
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 劉春元;李家麟

1.一種在帶電粒子射束設(shè)備中保護(hù)輻射檢測器（151）的方法，所述設(shè)備包括用于產(chǎn)生帶電粒子的射束的源（101）、包括用于照亮樣本（111）的透鏡（104）的聚光器系統(tǒng)、包括用于在檢測器系統(tǒng)上形成放大的樣本圖像的透鏡（106）的投影系統(tǒng)，所述檢測器系統(tǒng)包括輻射檢測器，所述方法包括：

·使用第一參數(shù)集合將所述檢測器暴露于輻射的步驟（200），所述參數(shù)集合包括聚光透鏡設(shè)置、投影透鏡設(shè)置、帶電粒子射束能量和射束電流，

·要求改變參數(shù)的步驟（204），

其特征在于，所述方法包括：

·在改變的參數(shù)下預(yù)測所述檢測器將被暴露于的通量密度的步驟（206），這是在實(shí)現(xiàn)所述參數(shù)改變之前進(jìn)行的，所述預(yù)測基于光學(xué)模型和/或查表，利用來自聚光透鏡設(shè)置、投影透鏡設(shè)置、帶電粒子射束能量、射束電流的集合的一個(gè)或者多個(gè)輸入變量作為輸入，和

·比較所述預(yù)測的通量密度與預(yù)定數(shù)值的步驟（208），并且根據(jù)所述比較，或者

?????o當(dāng)所述預(yù)測的通量密度低于所述預(yù)定數(shù)值時(shí)實(shí)現(xiàn)所述參數(shù)改變，

或者

?????o當(dāng)所述預(yù)測的通量密度高于所述預(yù)定數(shù)值時(shí)避免將所述檢測器暴露于與請求的參數(shù)改變相關(guān)聯(lián)的通量密度。

2.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中比較所述預(yù)測通量密度與預(yù)定數(shù)值的步驟（208）給出當(dāng)所述預(yù)測通量密度超過所述預(yù)定數(shù)值時(shí)產(chǎn)生警告或者錯(cuò)誤消息的步驟（214）。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或者權(quán)利要求2的方法，其中檢測器（151）是直接電子檢測器，所述輻射包括電子并且所述通量密度是電流密度。

4.根據(jù)權(quán)利要求3的方法，其中檢測器（151）被配備為檢測通過樣本（111）透射的電子。

5.根據(jù)前面權(quán)利要求中任何一項(xiàng)的方法，其中當(dāng)產(chǎn)生錯(cuò)誤消息或者警告時(shí)，所述透鏡的激發(fā)和所述射束能量不被改變。

6.根據(jù)權(quán)利要求2-5中任何一項(xiàng)的方法，其中當(dāng)產(chǎn)生錯(cuò)誤消息或者警告時(shí)，所述射束被射束阻斷器阻斷。

7.根據(jù)前面權(quán)利要求中任何一項(xiàng)的方法，其中當(dāng)改變所述參數(shù)時(shí)，所述射束被射束阻斷器阻斷。

8.根據(jù)前面權(quán)利要求中任何一項(xiàng)的方法，其中將檢測器（151）暴露于超過所述預(yù)定數(shù)值的劑量對于所述檢測器引起永久損壞。

9.根據(jù)權(quán)利要求3-7中任何一項(xiàng)的方法，其中檢測器（151）配備有用于電子的直接檢測的CMOS芯片或者CCD芯片。

10.根據(jù)前面權(quán)利要求中任何一項(xiàng)的方法，所述方法進(jìn)一步包括，在使用第一參數(shù)集合將所述檢測器暴露于輻射之前，通過對于不同的參數(shù)集合測量所述射束電流而校準(zhǔn)所述光學(xué)模型和/或查表。

11.一種攜帶用于編程帶電粒子射束設(shè)備的程序代碼的軟件載體，所述帶電粒子射束設(shè)備包括用于執(zhí)行根據(jù)權(quán)利要求1-10中任何一項(xiàng)的方法的可編程控制器。