[發明專利]用于處理半導體晶圓或裸片的方法和粒子沉積設備

有效

• 申請號: 201210098988.0
• 申請日: 2012-04-06
• 公開（公告）號: CN102738040A
• 公開（公告）日: 2012-10-17
• 發明（設計）人: M.恩格爾哈特;M.弗蘭克;T.孔斯特曼;I.尼基廷;W.羅布爾;G.魯爾;H-J.蒂默
• 申請（專利權）人: 英飛凌科技股份有限公司
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 謝攀;劉春元

1.一種用于處理半導體晶圓或裸片的方法，包括：

將粒子提供到等離子體以使得通過等離子體激活所述粒子；

將激活的粒子噴射在半導體晶圓或裸片上以在半導體晶圓或裸片上生成粒子層。

2.根據權利要求1所述的方法，還包括對粒子層進行圖案化。

3.根據權利要求1所述的方法，其中通過載運氣體將粒子提供到等離子體。

4.根據權利要求1所述的方法，其中在大氣壓下提供載運氣體。

5.根據權利要求1所述的方法，還包括生成等離子體。

6.根據權利要求5所述的方法，其中在大氣壓下生成等離子體。

7.根據權利要求1所述的方法，其中通過粒子沉積設備的傳導通道將激活的粒子噴射在半導體晶圓或裸片上，所述傳導通道的一端由粒子沉積設備的至少一個孔形成，其中所述孔具有將要沉積在半導體或裸片上的互連結構的形狀。

8.根據權利要求1所述的方法，其中將激活的粒子噴射在半導體晶圓或裸片的層上以生成粒子層以用于加固所述半導體晶圓或裸片的所述層的至少一部分。

9.根據權利要求8所述的方法，其中將激活的粒子噴射在半導體晶圓或裸片的接觸區上以使得所述粒子層加固所述接觸區。

10.根據權利要求9所述的方法，其中將激活的粒子噴射在接觸區上以形成接觸墊。

11.根據權利要求8所述的方法，其中將激活的粒子噴射在半導體晶圓或裸片上以完全覆蓋所述半導體或裸片的至少一面。

12.根據權利要求8所述的方法，其中將激活的粒子噴射在未加工的半導體晶圓或裸片上。

13.根據權利要求8所述的方法，其中所述半導體晶圓或裸片的所述層是所述半導體晶圓或裸片的主體層。

14.一種具有多孔加固層的半導體晶圓或裸片，其中多孔性在5%到50%之間。

15.根據權利要求14所述的半導體晶圓或裸片，其中所述半導體晶圓包括接觸墊，所述接觸墊包括多孔加固層。

16.根據權利要求14所述的半導體晶圓或裸片，其中多孔加固層完全覆蓋半導體晶圓或裸片的至少一面。

17.根據權利要求1所述的方法，其中將至少兩種材料的粒子提供到等離子體以使得通過等離子體激活所述粒子并且使得形成所述至少兩種材料的激活的粒子的混合物，并且其中將所述混合物噴射在半導體晶圓或裸片上以生成包括所述至少兩種材料的粒子的混合物的層。

18.根據權利要求17所述的方法，其中所述混合物形成焊接材料。

19.根據權利要求18所述的方法，其中所述材料是不同的金屬。

20.根據權利要求1所述的方法，還包括對半導體晶圓或裸片的表面進行圖案化，其中將激活的粒子噴射在半導體晶圓或裸片上以在圖案化的半導體晶圓或裸片上生成粒子層。

21.根據權利要求20所述的方法，其中將半導體晶圓或裸片的表面圖案化以包括圖案化的掩模。

22.根據權利要求21所述的方法，還包括通過鑲嵌技術對粒子層進行圖案化。

23.一種粒子沉積設備，包括：

第一提供部件，將等離子體射流提供到反應室；

第二提供部件，將載運氣體提供到反應室；

所述反應室用于混合等離子體射流和載運氣體以生成混合物，其中所述反應室包括用于發射混合物的出口；

傳導通道，其具有由所述出口形成的第一端以及由粒子沉積設備的至少一個孔形成的第二端，所述至少一個孔具有將要沉積在載體上的互連結構的形狀。

24.根據權利要求23所述的粒子沉積設備，其中所述載體是半導體晶圓、半導體裸片或印刷電路板。

25.根據權利要求23所述的粒子沉積設備，其中所述孔的形狀的至少一部分對應于互連線的形狀。