[發明專利]一種新型碳化硼陶瓷基復合材料及其制備方法

無效

• 申請號: 201210098614.9
• 申請日: 2012-04-06
• 公開（公告）號: CN102617148A
• 公開（公告）日: 2012-08-01
• 發明（設計）人: 張繼紅;韓文波;曹仲文
• 申請（專利權）人: 牡丹江金鋼鉆碳化硼有限公司
• 主分類號: C04B35/563
• 分類號: C04B35/563;C04B35/622
• 代理公司: 牡丹江市丹江專利商標事務所(特殊普通合伙) 23205
• 代理人: 張雨紅

1.一種碳化硼陶瓷基復合材料，其特征在于，它是以碳化硼為基體，硼化鋯和碳化硅為增強相熱壓燒結而成，制備方法具體步驟如下：

（1）原料：采用B₄C粉末，加入量為60vol%～80vol%；

（2）增強體：選用ZrB₂顆粒和SiC顆粒為增強相，加入量分別為17vol%～34vol%和3vol%～6vol%，二者的體積比滿足85%：15%；

（3）溶劑：選用無水乙醇或丙酮為溶劑；

（4）混料：將上述原料、增強體和溶劑進行濕混后再干燥；

（5）燒結：在真空或惰性氣氛保護下在燒結溫度1850～2000℃，燒結壓力20～40MPa，燒結時間20～60分鐘條件下熱壓燒結；

所述B₄C粉末、ZrB₂顆粒和SiC顆粒三者的體積比之和滿足百分百。

2.如權利要求1所述的碳化硼陶瓷基復合材料的制備方法，其特征在于，制備方法具體步驟如下：

（1）原料：采用B₄C粉末，加入量為60vol%～80vol%；

（2）增強體：選用ZrB₂顆粒和SiC顆粒為增強相，加入量分別為17vol%～34vol%和3vol%～6vol%，二者的體積比滿足85%：15%；

（3）溶劑：選用無水乙醇或丙酮為溶劑；

（4）混料：將上述原料、增強體和溶劑進行濕混后再干燥；

（5）燒結：在真空或惰性氣氛保護下，燒結溫度1850～2000℃，燒結壓力20～40MPa，燒結時間20～60分鐘條件下熱壓燒結；

所述B₄C粉末、ZrB₂顆粒和SiC顆粒三者的體積比之和滿足100%。

3.如權利要求2所述的碳化硼陶瓷基復合材料的制備方法，其特征在于，所述步驟4為混合6～8小時后干燥。

4.如權利要求2所述的碳化硼陶瓷基復合材料的制備方法，其特征在于，所述B₄C粉末平均粒徑小于10μm。

5.如權利要求2所述的碳化硼陶瓷基復合材料的制備方法，其特征在于，所述ZrB₂顆粒平均粒徑小于5μm。

6.如權利要求2所述的碳化硼陶瓷基復合材料的制備方法，其特征在于，所述SiC顆粒平均粒徑小于2μm。

7.如權利要求2所述的碳化硼陶瓷基復合材料的制備方法，其特征在于，所述B₄C粉末平均粒徑為0.5～10μm。

8.如權利要求2所述的碳化硼陶瓷基復合材料的制備方法，其特征在于，所述ZrB₂顆粒平均粒徑為0.7～5μm。

9.如權利要求2所述的碳化硼陶瓷基復合材料的制備方法，其特征在于，所述SiC顆粒平均粒徑為0.5～5μm。