[發明專利]一種晶體培養連續過濾自動控制方法無效
| 申請號: | 201210098340.3 | 申請日: | 2012-03-29 |
| 公開(公告)號: | CN102618916A | 公開(公告)日: | 2012-08-01 |
| 發明(設計)人: | 潘豐;王凱;張相勝;李艷坡 | 申請(專利權)人: | 江南大學 |
| 主分類號: | C30B7/08 | 分類號: | C30B7/08;C30B29/14 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 214122 江蘇省*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 晶體 培養 連續 過濾 自動控制 方法 | ||
1.一種晶體培養連續過濾自動控制方法,其特征是,在快速生長大尺寸KDP和DKDP晶體培養過程中對生長溶液進行循環過濾,濾除生長溶液因自發結晶和育晶槽中旋轉部件的影響而產生的不規則雜晶以及生長溶液中滋生的微生物,避免這些顆粒和雜質在生長過程中被包含在晶體里,破壞生長晶體的光學品質。
2.根據權利要求1所述晶體培養連續過濾自動控制方法,其特征是,生長溶液的循環過濾過程是,從育晶槽流出的帶有顆粒雜質的生長溶液,先加熱溶解雜晶,然后經過濾器濾除無關雜質,最后通過降溫使回流到育晶槽里的溶液溫度恢復到與育晶槽里的溶液溫度一致,避免對育晶槽里的溶液造成擾動,從而完成連續過濾循環。
3.根據權利要求1所述晶體培養連續過濾自動控制方法,其特征是,溫度控制方法的特點是,生長溶液在連續過濾系統中循環,要滿足以下2個要求:
(1)以育晶槽內的溫度為基準溫度,根據設定要求,熱水浴、冷水浴分別相對基準溫度相差Δ1和Δ3并保持恒定;
(2)育晶槽中的溫度,需在一個生長周期內從75℃緩慢降到室溫,連續過濾系統的整體降溫速度必須與育晶槽中的降溫速度一致,使準備回流到育晶槽里的溶液也處于準穩定區和適當的過飽和度,避免與育晶槽中的溶液狀態不一致造成擾動。
4.一種晶體培養連續過濾自動控制方法,包括溫度控制、流量聯動控制、報警控制、歷史數據存儲與分析等方法,系統組成涉及PLC、觸摸屏、相關執行器和檢測傳感器,其特征是,晶體生長是一個連續無間歇的過程,最短也要幾個月,系統必須具備長時間、連續工作的特性。
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